国际照明委员会(CIE)发布了与LED照明的实验室测量有关的技术报告CIE 251:2023《光度计校准用LED参考光谱》。
概述
参数
- 芯片技术 / Chip Technology : InGaN on Sapphire
- 色度坐标 / Chromaticity Coordinate : Cx = 0.40, Cy = 0.38
- 颜色 / Colors : Warm white, Cold White
- 正向电压 / Forward Voltage : 2.70 to 3.10 V
- 正向电流 / Forward Current : 3 to 200 mA
- 认证 / Certifications : ESD Sensitivity (ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2012), AEC-Q102
- 工作温度 / Operating Temperature : -40°C至110°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40°C至110°C
- 结温 / Junction Temperature : 最大125°C
- 短时应用结温 / Junction Temperature For Short Time Applications : 最大135°C
- 正向电流 / Forward Current : 最小3mA,最大200mA
- 正向脉冲电流 / Forward Current Pulsed : 最大400mA
- 反向电压 / Reverse Voltage : 最大5V
- ESD耐受电压 / ESD Withstand Voltage : 2kV
- 色度坐标 / Chromaticity Coordinate : Cx=0.40, Cy=0.38
- 色温 / Color Temperature : 2700K-6500K
- 显色指数 / Color Rendering Index : 最小90
- 实际热阻结/焊点 / Real Thermal Resistance Junction/Solderpoint : 典型45K/W,最大56K/W
- 光通量 / Luminous Flux : 18至33lm
- 正向电压 / Forward Voltage : 最小2.70V,典型2.90V,最大3.10V
- 反向电流 / Reverse Current : 典型0.01µA,最大10µA
应用
1.内部照明(例如环境地图照明)
特征
1.封装:白色SMT封装,有色漫射硅树脂 2.芯片技术:InGaN on Sapphire 3.色彩:根据CIE 1931白色 4.耐腐蚀性能等级:3B 5.资质认证:AEC-Q102 Qualified 6.静电放电:2kV根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(HBM,2级)
规格书
厂家介绍
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