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QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
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QPGAx3S03H 脉冲激光二极管

分类: 半导体激光器

厂家: Excelitas Technologies

产地: 美国

型号: QPGAx3S03H Pulsed Laser Diodes

更新时间: 2024-07-12 23:09:52

高功率激光器 激光器 905 nm 脉冲半导体激光器 多层激光器

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概述

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

参数

  • 激光波长 / Wavelength : 0.905um
  • 脉宽 / Pulse Duration : 1 - 1 ns
  • 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength : Not Applicable

应用

1. 激光测距 2. 激光测速 3. 红外照明 4. 激光皮肤治疗

特征

1. 输出功率倍增 2. 超过100W的峰值功率 3. 高可靠性 4. 小发射面积 5. 低成本塑料封装 6. 符合RoHS标准

详述

PGEW系列的单层和多层905 nm脉冲半导体激光器是为商业测距应用设计的。这些激光器采用单个GaAs基板芯片上生长的多达四个活性激光层,提供高输出功率和出色的稳定性。其特点包括小发射面积、低成本塑料封装和符合RoHS标准。PGEW系列激光器特别适合需要高产量生产能力和成本敏感的应用,如激光测距、激光测速、红外照明和激光皮肤治疗。该系列产品还具有高可靠性和小发射面积的优势,适合光纤耦合应用,能够在小几何形状中集中更多光功率。

规格书

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厂家介绍

Excelitas Technologies是提供高性能、市场驱动的光子创新的技术做的较好的,以满足全球客户的照明、光电、检测和光学技术需求。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述

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