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LD11/21系列差分热释电检测器 光电探测器

LD11/21系列差分热释电检测器

分类: 光电探测器

厂家: Laser Components

产地: 德国

更新时间: 2024-08-28 05:01:23

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概述

在Laser Components,我们开发了一种新的改进型热释电探测器LD2100系列,其差分输出可将信噪比提高1.4。具有差分放大器的热释电探测器具有两个额外的优点:通过信号相减消除了外部干扰信号。因此,它们可用于具有电场的关键环境中。此外,LD2100系列使简单的布线成为可能,信号输出直接连接到差分AD转换器的输入。

参数

  • 探测器类型 / Detector Type : Pyroelectric
  • 尺寸 / Size : 5mm

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厂家介绍

在激光组件中,稳定性、连续性和以长期成功为目标的决策与动态性、灵活性、浅层次结构和短决策过程相结合。在家族企业中,这不是矛盾,而是两代人和谐合作,带领公司走向未来的结果。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 2-Color Ratio Fiber Optic Infrared Temperature Measurement and Control System iR2 光电探测器 双色比的光纤红外测温和控制系统iR2 光电探测器 Newport Electronics Inc

    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm

    Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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