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高速InGaAs PIN光电二极管FD150系列 光电探测器

高速InGaAs PIN光电二极管FD150系列

分类: 光电探测器

厂家: Fermionics

产地: 美国

更新时间: 2024-08-27 08:47:22

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概述

高速、低暗电流、低电容光电二极管,适合高速通信系统、LAN和FDDI应用。150微米直径的光敏区域改善了与使用有源器件插座的多模光纤的耦合。平面钝化器件结构。

参数

  • 二极管类型 / Diode Type : InGaAs
  • 工作波长 / Wavelength Of Operation : 1300nm

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厂家介绍

费米子光电技术的市场营销方式如下:

 费米子光电技术公司是一家独立的InGaAs光电二极管制造商,用于光通信、测试仪器、传感和医疗设备应用。在费米子光电技术公司,我们专注于质量、及时交付和客户设计要求,致力于满足不同客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。

我们是各种配置和用途的InGaAs光电二极管的专家,我们为自己出色的客户服务和技术能力感到自豪-反应灵敏、创新、灵活。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 2-Color Ratio Fiber Optic Infrared Temperature Measurement and Control System iR2 光电探测器 双色比的光纤红外测温和控制系统iR2 光电探测器 Newport Electronics Inc

    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm

    Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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