由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。
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概述
参数
- 探测器类型 / Detector Type : Thermal Absorber (thermopile)
- 光谱范围 / Spectral Range : 0.19 - 20 um
- 尺寸 / Size : 55mm
- 最大功率 / Maximum Power : 500W
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 15000uW
- 最大平均功率密度 / Max Average Power Density : 45kW/cm2
应用
1. 激光功率测量 2. 单次能量测量
特征
1. 模块化设计,可通过4种不同的冷却模块增加探测器的功率能力 2. 高性能,快速上升时间和高损伤阈值 3. 紧凑设计,仅32毫米厚 4. 智能接口,包含所有校准数据
详述
规格书
厂家介绍
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