首页技术中心光电百科日盲光电探测器（Solar-blind Photodetectors）

日盲光电探测器（Solar-blind Photodetectors）

更新时间：2024-11-21 20:29:35

分类: 光探测与表征

定义: 对可见光不敏感但对紫外光有反应的光电探测器

Gentec-EO高功率检测器XLP12-3S-VP-D0

类别：光电探测器

日盲光电探测器（Solar-blind Photodetectors）详述

纠错

1. 诞生背景

日盲光电探测器，顾名思义，是对可见光不敏感但对紫外光有反应的光电探测器。这种探测器的诞生背景主要是为了满足特定领域对紫外光探测的需求。紫外光具有短波长、高能量的特性，能够被许多物质吸收，从而产生电子跃迁等现象，这为紫外光探测提供了可能。

2. 相关理论或原理

日盲光电探测器的工作原理主要是利用光电效应。当紫外光照射到探测器的敏感层时，会激发出光电子，这些光电子在电场的作用下向一定方向运动，形成光电流。光电流的大小与照射光强成正比，从而实现对紫外光强的测量。此外，由于日盲光电探测器对可见光不敏感，因此可以有效避免可见光的干扰，提高探测精度。

3. 重要参数指标

日盲光电探测器的重要参数指标主要包括响应波长范围、响应速度、暗电流、灵敏度等。响应波长范围决定了探测器能够探测的光的范围；响应速度决定了探测器对光强变化的反应速度；暗电流是在无光照射时探测器的输出电流，其大小直接影响探测器的噪声性能；灵敏度是探测器对光强变化的敏感程度，其大小直接影响探测器的探测能力。

4. 应用

日盲光电探测器广泛应用于火焰探测、紫外成像、空气质量监测、生物医学等领域。例如，在火焰探测中，由于火焰会发出紫外光，因此可以利用日盲光电探测器进行火焰探测；在紫外成像中，可以利用日盲光电探测器进行紫外光成像，实现对目标的识别和跟踪。

5. 分类

根据材料和结构的不同，日盲光电探测器可以分为硅基、碱金属、宽禁带半导体等多种类型。其中，硅基日盲光电探测器由于其优良的性能和成熟的制备工艺，被广泛应用于各种领域。

6. 未来发展趋势

随着科技的发展，日盲光电探测器的性能将进一步提高，应用领域也将进一步扩大。在未来，我们可以期待出现更高性能、更多功能的日盲光电探测器。

7. 相关产品及生产商

目前市场上主要的日盲光电探测器生产商有Hamamatsu、Thorlabs、Excelitas等。这些公司生产的日盲光电探测器性能优良，被广泛应用于各种领域。

日盲光电探测器（Solar-blind Photodetectors）推荐产品

图片名称分类制造商 PDF资料参数描述

SXUV5 光电二极管 Opto Diode
光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV（极紫外）圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力，在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度，使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中，该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C，在氮气或真空环境中，该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范，采用TO-5封装。
GUVB-C21SD 光电二极管 GenUV 波长范围: 240 to 320 nm 响应度/光敏度: 0.2 A/W
Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。
EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管 Electro Optical Components 波长范围: 200 to 400 nm 响应度/光敏度: 4 to 5 A/W
来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。