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有效面积直径
Active Area Diameter（mm）
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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
上升时间
Rise Time（ns）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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热释电激光探测器 420M7-25
厂家：Eltec Instruments Inc
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LPD 3080
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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UPD-2M-IR2-P-1TEC
厂家：ALPHALAS
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UPD-35-IR2-P
厂家：ALPHALAS
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UPD-3N-IR2-P
厂家：ALPHALAS
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UPD-40-UVIR-D
厂家：ALPHALAS
光电查为您提供269个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nAAlphaLas公司的UPD-70-IR2-P是一种光学探测器，波长范围为800~1700nm，上升时间为70ps，暗电流为0.8nA，带宽为5GHz，有源区直径为0.005mm.UPD-70-IR2-P的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。
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活动区域直径: 170-180µm 光子检测效率（PDE）780nm: 64-70% 光子检测效率（PDE）800nm: 62-68% 光子检测效率（PDE）850nm: 54-58% 光子检测效率（PDE）900nm: 41-45%SPCM-NIR是一款专为近红外波长光谱优化的单光子计数模块，具有出色的红外和近红外灵敏度，同时保持了标准SPCM-AQRH的其他性能参数，如均匀性、过载保护、温度稳定性和线性。
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活动区域直径: 170-180µm 光子探测效率: 75% 光子探测效率: 50% 暗计数: 1500Counts/second 暗计数: 1000Counts/secondExcelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块，采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管，具有优于250ps的模块时间分辨率，同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率，活动区域直径为180µm。
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供电电压: 4.75-5.25V 供电电流: 0.4-1.2A 电源线总电阻: 0.1-0.2Ω 外壳工作温度: 5-70°C 活动区域直径: 170-180µmExcelitas Technologies最近改进的SPCM-AQRH单光子计数模块可以在400nm至1060nm的波长范围内检测单个光子，其性能参数优于其他固态或真空管基光子计数器。
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供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µmSPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块，具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK)，能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能，确保在环境温度变化时性能稳定。
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击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 工作增益: 10-40 正向电流: 5mAExcelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管，专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。
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波长范围: 800-1700nm 上升时间: 2ns 输出阻抗: 50ΩExcelitas公司的CIPRM系列是一款基于高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益的跨阻放大器，专为检测干扰噪声层上方的微小变化而设计的平衡光接收器。该系列产品具有优良的共模抑制比(CMRR)，适用于恶劣环境，且符合RoHS指令。
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 2430nm光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。
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二极管类型: GaInAsSb 工作波长: 2430nm光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与GaSb衬底晶格匹配的窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构制成。
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm光电二极管PD 25-05设计用于检测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm光电二极管PD 25-05设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 2460nm光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm光电二极管PD 25-10设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。
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二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。
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二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。
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二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。
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二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3600nm光电二极管PD 36-05设计用于检测1800至3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。
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二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4100nm光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。