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  LTE-R38381S-S-U

  美国

  分类：发光二极管

  厂商：LITE-ON

  芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3 to 3.4 V 波长: 940 nm

  Lite-On的LTE-R38381S-S-U是一款LED，正向电压为3至3.4 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为940 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38381S-S-U的更多详细信息，请联系我们。

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  LTE-R38381S-ZF-U

  美国

  分类：发光二极管

  厂商：LITE-ON

  芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3 to 3.4 V 波长: 940 nm

  Lite-On的LTE-R38381S-ZF-U是一款LED，正向电压为3至3.4 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为940 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38381S-ZF-U的更多详细信息，请联系我们。

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  LTE-R38386A-S-U

  美国

  分类：发光二极管

  厂商：LITE-ON

  芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 1.8 to 2.5 V 波长: 850 nm

  Lite-On的LTE-R38386A-S-U是一款LED，正向电压为1.8至2.5 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386A-S-U的更多详细信息，请联系我们。

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  LTE-R38386A-ZF-U

  美国

  分类：发光二极管

  厂商：LITE-ON

  芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 1.8 to 2.5 V 波长: 850 nm

  Lite-On的LTE-R38386A-ZF-U是一款LED，正向电压为1.8至2.5 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386A-ZF-U的更多详细信息，请联系我们。

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  LTE-R38386S-S-U

  美国

  分类：发光二极管

  厂商：LITE-ON

  芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3.1 to 3.5 V 波长: 850 nm

  Lite-On的LTE-R38386S-S-U是一款LED，正向电压为3.1至3.5 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386S-S-U的更多详细信息，请联系我们。

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  LTE-R38386S-ZF-U

  美国

  分类：发光二极管

  厂商：LITE-ON

  芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3.1 V 波长: 850 nm

  Lite-On的LTE-R38386S-ZF-U是一款LED，正向电压为3.1 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386S-ZF-U的更多详细信息，请联系我们。