美国半导体激光器产品目录_生产厂家

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00081；裸片尺寸：0.9毫米X 1.00毫米550孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：8W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

940纳米VCSEL V00155 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00155；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（2J）；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：10W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：75W

940纳米VCSEL V00156 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00156；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（3J）；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：110W

940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00063；裸片尺寸：1.26mm X 1.26mm 770孔径；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：11W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00155；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：76W

680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 680 nm 操作/焊接温度: -20°C to 50°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00013；波长：680；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：1.5mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：3mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：-

680纳米VCSEL - PLCC封装 V00002

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 680 nm 光功率: 5.5 W 操作/焊接温度: -20°C - 50°C 储存温度: -40°C - 125°C 正向电流: max. 10mA

货号：V00002；波长：680；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：15mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：-

850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 储存温度: -40 to 100°C 操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA

850nm多模3孔径VCSEL，专为需要高效光功率源的应用而设计。货号：V00147；波长：850；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：70mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：150mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：300mW

VCSEL评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850nm(V00133) / 940nm(V00132) 峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 供电电压: 7V-10V 门驱动器电源电压: 5V

VIXAR评估模块用于产生高光功率的短激光脉冲飞行时间（TOF）和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）、栅极驱动器和放电电容器组。该模块可以被驱动用于高速脉冲操作，并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。评估模块安装了850 nm（V00133）和940 Nm（V00132）VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动，这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息，请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建，以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热，存在大热结合焊盘，从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组，以改善到驱动器电路的电荷输送，用于更高的占空比（DC）操作。

850纳米VCSEL - V00160评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 操作/焊接温度: min. -40°C, max. 105°C 储存温度: min. -40°C, max. 120°C 正向电流: max. 130A 供电电压: max. 9V

VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

940纳米VCSEL - V00159评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10V

VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

795nm VCSEL；TO46封装带TEC；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 光功率: 0 W 储存温度: -40 to 125°C 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

单横模、795nm VCSEL，TO-46封装

RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A

美国

分类：半导体激光器

厂商：II-VI Laser Enterprise GmbH

波长: 785nm 线宽: 0.1nm 功率: 500mW 电源稳定性: ±0.005% over 2.5 hours 工作温度: 25°C

II-VI Incorporated的RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A是一款激光器，波长为784.5 nm、785 nm、785.5 nm，功率为500 MW，工作温度为-20至50摄氏度（外壳），存储温度为-20至70摄氏度。有关RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A的更多详细信息，请联系我们。

TPG2EW1S09

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

应用行业: Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 925 nm 输出功率: 75 to 85 W 工作电压: 13.5 V

Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管，工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W，功率斜率为3W/A，光谱宽度（FWHM）为10nm，脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V，阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计，并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装，非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

qdbrld-1064-150

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1062 to 1066 nm 输出功率: 0 to 0.15 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V

来自Qphotonics的QDBRLD-1064-150是波长为1062至1066nm、输出功率为0至0.15W、工作电压为1.9至2.1V、工作电流为0.3至0.38A、阈值电流为35至50mA的激光二极管。有关QDBRLD-1064-150的更多详细信息，请联系我们。

QDFBLD-1030-20

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1028 to 1032 nm 输出功率: 0 to 0.02 W 工作电压: 2 to 2.3 V

来自Qphotonics的QDFBLD-1030-20是波长为1028至1032nm、输出功率为0至0.02W、工作电压为2至2.3V、工作电流为0.13至0.15A、阈值电流为22至30mA的激光二极管。有关QDFBLD-1030-20的更多详细信息，请联系我们。

QDFBLD-105X-20

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 20 mW 工作电流: 130 to 150 mA

Qphotonics的QDFBLD-105X-20是一款光纤耦合DFB激光二极管，工作波长为1049至1064 nm.输出功率为20mW，上升时间为0.5ns.该激光器具有内置热电冷却器、热敏电阻和可选的光电二极管。它可在带有HI1060或PM980光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

QDFBLD-105X-50

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW or pulsed operation 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 50 mW 工作电压: 2 to 2.3 V

来自Qphotonics的QDFBLD-105X-50是一种光纤耦合DFB激光二极管，可在1049至1064 nm范围内工作时提供50 MW的输出功率。它有一个内置热电冷却器，热敏电阻和可选的光电二极管。激光二极管的上升时间为5 ns，工作温度范围为15 C至40 C.它采用14引脚蝶形封装，提供可选的FC/PC或FC/APC连接器。

QDFBLD-1300-10

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1308 nm 输出功率: 0 to 0.0102 W 工作电压: 1.31 V

来自Qphotonics的QDFBLD-1300-10是波长为1308nm的激光二极管，输出功率为0至0.0102W，工作电压为1.31V，工作电流为0.06 4至0.07A，阈值电流为11mA.有关QDFBLD-1300-10的更多详细信息，请联系我们。

qdfbld-1300-20to

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1306 nm 输出功率: 0 to 0.0201 W 工作电压: 1.41 V

QPhotonics公司的QDFBLD-1300-20TO是波长为1306 nm的激光二极管，输出功率为0~0.0201 W，工作电压为1.41 V，工作电流为0.053~0.058 A，阈值电流为13 mA.有关QDFBLD-1300-20TO的更多详细信息，请联系我们。