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  • stradus- 488-50 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.488um 输出功率: 50mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 505-70 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.505um 输出功率: 70mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 514-60 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.515um 输出功率: 60mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用的独立激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 532-40 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.532um 输出功率: 40mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 561-50 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.561um 输出功率: 50mW

    STRADUS®561激光模块是一款完全集成、即插即用的独立激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为Stradus®561提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声。时间和温度。

  • stradus - 633-80 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.633um 输出功率: 80mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用的独立激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为Stradus®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性以及随时间和温度变化的低噪声。

  • stradus - 637-140 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 140mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为Stradus®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声。时间和温度。

  • stradus - 642-110 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.642um 输出功率: 110mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 660-100 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 685-40 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 40mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 705-30 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.705um 输出功率: 30mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性以及低噪音和低温度。

  • stradus - 730-30 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.730um 输出功率: 30mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • stradus - 785-80 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 80mW

    STRADUS®二极管激光模块是一款完全集成、即插即用、独立的激光模块。获得专利的密封光学腔和创新的电子设备为STRADUS®激光器提供了无与伦比的功率稳定性、光束指向稳定性和低噪声时间和温度。

  • STRADUS LITE - OEM激光头 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.375um 输出功率: 100mW

    STRADUS®LITE二极管激光模块是标准STRADUS®激光模块的经济型版本。Stradus®Lite具有更小的占地面积、更高的效率和同样出色的性能。这是一种仅使用微处理器控制的CW模式操作,不需要外部电子设备。这款体积更小、成本更低的解决方案采用了我们功能齐全的STRADUS®激光模块的所有技术,占地面积较小,可用于高性能激光模块系统。

  • TCW TriBiner系列。三波段仪器激光器 半导体激光器
    美国
    中心波长: 850 - 1550 nm 输出功率: 0.5 - 225 mW

    OSI激光二极管公司'S TCW Tribiner系列光纤耦合激光器旨在满足光学测试设备市场的性能需求。这些高峰值光功率激光器服务于850nm至1550nm波长,并采用紧凑型三重封装。Tribiner集成了650nm红色激光,具有方便的故障查找功能。

  • 电信/数据通信激光模块 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1.3um 输出功率: 2mW

    OSI激光二极管公司'1310nm和1550nm法布里-珀罗激光器具有良好的输出功率和波长稳定性。这些模块非常适合用于短距离、中距离和长距离电信系统,如SONET、SDH和以太网或光纤通道系统。器件可带或不带TEC和温度感应热敏电阻。

  • TO38 405nm 320mw日亚NDV4542蓝紫色激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 320mW

    TO38 405nm 320mW NICHIA NDV4542蓝紫激光二极管 特征: 光输出功率:脉冲320m W罐型:φ浮式安装 峰值波长:405nm 绝对较大额定值 光输出功率:250 MW(连续),400mW(脉冲) LD反向电压:2V 储存温度:-40~85°C 工况温度:-10~80°C 脉冲条件:脉宽30ns,占空比50% 激光安全 激光会损伤人的眼睛和皮肤,不要将眼睛或皮肤直接和/或通过光学透镜暴露在任何激光下。在处理LDS时,请佩戴适当的安全眼镜,以防止激光甚至任何反射光进入眼睛。通过光学仪器的聚焦激光束将增加对眼睛造成伤害的机会。这些LD属于IEC60825-1和21 CFR第1040.10部分安全标准的第4类。绝对有必要对纳入和/或集成了Nichia LDS的用户模块、设备和系统采取全面的安全措施。

  • TPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。