美国半导体激光器产品目录_生产厂家

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

PH785DBR水星系列

美国

分类：半导体激光器

厂商：Photodigm Inc.

中心波长: 0.785um 输出功率: 40mW

785nm Mercury™系列高功率边发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它在紧凑的密封封装中提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。应用程序包括移动耐用性和可靠性至关重要的光谱仪器。

PH808DBR水星系列

美国

分类：半导体激光器

厂商：Photodigm Inc.

中心波长: 0.807um 输出功率: 40mW

808nm Mercury™系列高功率边发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它提供了衍射在紧凑的密封封装中有限的、单一的横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。应用程序包括移动耐用性和可靠性至关重要的光谱仪器。

红-绿激光试点

美国

分类：半导体激光器

厂商：Electro Optical Components Inc (EOC)

激光类型: Modulated 纤维类型: Multi-Mode 波长: 520nm 输出功率: 8-20mW 纤维芯直径: 50um

IMM Photonics开发了一种新的双工模块，作为用于医疗工程或材料加工的高功率激光系统的先导激光器。红色（635nm）和绿色激光二极管（520nm）耦合在公共光纤上。光纤端可以是裸露的，也可以在生产过程中配备所有现成的光纤连接器。可根据要求提供其他光纤和光纤长度。

PULSED 850nm仪器激光模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

输出功率: 1W 激光波长: 0.85um 脉宽: 50 - 50 ns 中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

OSI激光二极管公司S 850nm激光模块设计用于高光功率和低功率的光纤仪器

QFLD-405-10SAX 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 404nm 输出功率: 10.4mW

QFLD-405-10SAX光纤耦合二极管

QFLD-405-20S 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 406nm 输出功率: 20mW

QFLD-405-20S光纤耦合激光二极管

QFLD-450-10S 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 451nm 输出功率: 10mW

QFLD-450-10S光纤耦合激光二极管

QFLD-450-15SAX 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 448nm 输出功率: 15.2mW

QFLD-450-15SAX光纤耦合激光二极管

QFLD-488-20S 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20mW

QFLD-488-20S光纤耦合激光二极管

QFLD-488-20SAX 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20.1mW

QFLD-488-20SAX光纤耦合激光二极管

QFLD-505-10S 光纤耦合激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 504nm 输出功率: 10mW

QFLD-505-10S光纤耦合激光二极管

Qioptiq 100mW iFLEX-iRIS - 637nm

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.637um 输出功率: 100mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq 200mW iFLEX-iRIS - 405nm

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 200mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq458nm iFLEX-iRIS 20mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.458um 输出功率: 20mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 405nm 130mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 130mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 405nm 50mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 50mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 458nm 45mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.458um 输出功率: 45mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq iFLEX-iRIS - 488nm 100mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.488um 输出功率: 100mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。