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工作电流
Operating Current(mA)
确定 取消 -
工作电压
Operating Voltage(V)
确定 取消 -
输出功率
Output Power(mW)
确定 取消 -
阈值电流
Threshold Current(mA)
确定 取消 -
波长
Wavelength(nm)
确定 取消
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家:Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家:Optilab
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家:ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家:ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家:ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管;单管功率:11瓦;波长:910nm;条宽:100µm
厂家:ams OSRAM
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中心波长: 0.450um 输出功率: 6000mW
日亚NUBM44 450nm 6W 9mm全新NUBM44是一款发射6W功率的445nm激光二极管。它是目前所有9mm TO-CAN(TO-5封装)激光二极管的较高功率。尽管NUBM44的典型中心波长为445nm,但在某些文献中,它有时被称为450nm激光二极管。尽管这是一个多模激光二极管,但它具有极窄的波导,这使得它几乎具有任何高功率半导体激光器的较低光学扩展量(给定光束直径的远场发散度)。与其他高功率激光二极管相比,窄发射极宽度使其能够更好地准直和聚焦。-6.0W蓝色激光二极管,波长445nm-高度可聚焦且能够很好地准直-紧凑型TO-5(9mm)TO-CAN封装-0C至65C的宽工作温度范围-氮化镓蓝色激光技术可延长高温下的使用寿命设计波长:445 nm工作电流典型值[A]:3 A工作温度范围:0至+60°C工作电压:3.7-5.2 V封装:TO-5阈值电流:150-350 mA存储温度范围:-40至85°C20°C时的光功率[W]:6 W估计寿命:10000小时与其它高功率半导体激光器相比,这种蓝色激光二极管相对不受工作温度的影响,并且具有0℃至65℃的外壳工作温度范围。NUBM44在25℃下的典型寿命为20,000小时。然而,如果蓝色激光器的外壳温度被加热到65℃,则寿命仅降低很小的系数。由于较近开发的氮化镓激光技术,这是先进可能的。目前用于红光和近红外激光二极管的砷化镓激光技术不能在高温下实现低的长期退化水平。因此,这种蓝色激光二极管是各种环境和应用的可靠选择。此外,该GaN激光器具有特殊的TO-5(9mm)封装,这使其具有比该功率水平下的激光二极管通常可能的热阻更低的热阻。9毫米的TO-CAN也是密封的,可以保护半导体激光器芯片免受灰尘和其他污染。相比之下,高功率红光和NIR激光二极管通常需要C-Mount封装,其具有暴露的刻面,如果不在洁净室环境中操作,则会出现可靠性问题。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。