美国半导体激光器产品目录_生产厂家

美国

分类：半导体激光器

厂商：Pranalytica, Inc

中心波长: 4.6um 输出功率: 4000mW

PrAnalytica的连续波（CW）室温高功率量子级联激光器（QCL）。Model 1101-XX-CW-YYYY是一种高功率、连续波、空气冷却的中波或长波红外激光系统。它提供高达>4.0 W的连续波、室温（CW/RT）光功率，具体取决于3.7µm至>12µm的波长。

4um下的CW室温高功率QCL系统

美国

分类：半导体激光器

厂商：Pranalytica, Inc

中心波长: 4um 输出功率: 2500mW

PrAnalytica的连续波（CW）室温高功率量子级联激光器（QCL）。Model 1101-XX-CW-YYYY是一种高功率、连续波、空气冷却的中波或长波红外激光系统。它提供高达>4.0 W的连续波、室温（CW/RT）光功率，具体取决于3.7µm至>12µm的波长。

7.1微米的CW室温高功率QCL系统

美国

分类：半导体激光器

厂商：Pranalytica, Inc

中心波长: 7.1um 输出功率: 1500mW

PrAnalytica的连续波（CW）室温高功率量子级联激光器（QCL）。Model 1101-XX-CW-YYYY是一种高功率、连续波、空气冷却的中波或长波红外激光系统。它提供高达>4.0 W的连续波、室温（CW/RT）光功率，具体取决于3.7µm至>12µm的波长。

9.5微米的CW室温高功率QCL系统

美国

分类：半导体激光器

厂商：Pranalytica, Inc

中心波长: 9.5um 输出功率: 2000mW

PrAnalytica的连续波（CW）室温高功率量子级联激光器（QCL）。Model 1101-XX-CW-YYYY是一种高功率、连续波、空气冷却的中波或长波红外激光系统。它提供高达>4.0 W的连续波、室温（CW/RT）光功率，具体取决于3.7µm至>12µm的波长。

CW室温QCL系统--LH型

美国

分类：半导体激光器

厂商：Pranalytica, Inc

中心波长: 3.7um 输出功率: 3500mW

Pranalytica的连续波（CW）室温高功率量子级联激光器（QCL）。

DLS-976-008二极管激光系统

美国

分类：半导体激光器

厂商：Fiberoptic Systems Inc

激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 波长: 976nm 输出功率: 8000mW 纤维芯直径: 100um

我们的DLS-976-008是一种二极管激光系统，可在976 nm波长的小型光纤中提供高达8.0 W的光功率。该系统包括尾纤激光二极管、驱动器和控制电子设备以及TEC冷却模块。它还集成了自动温度调谐机制，可在任何功率水平下保持波长以976nm为中心。激光能量从纤芯直径为100微米、数值孔径为0.12的小型光纤中传输出来，该光纤与永久连接到该单元的FC连接器端接。激光器激活由前面板上的开关控制，功率水平由前面板上的电位器调节。驱动电路的开启和关闭响应时间约为2毫秒，允许以约200Hz的较大频率调制激光器输出。

DPGAx1S03H 脉冲激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

DPGAx1S09H 脉冲激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

双定向激光器CVDR 46650--TO5T

美国

分类：半导体激光器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

输出功率: 3W 激光波长: 0.905um 脉宽: 100 - 100 ns 中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

激光器封装包含一个905脉冲激光二极管（CVD 46）和一个650nm激光二极管，并排安装

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 405nm 25mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 25mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可提供一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 445nm 15mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.445um 输出功率: 15mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 488nm 12mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.488um 输出功率: 12mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可提供一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 488nm 60mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.488um 输出功率: 60mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 640nm 15mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.640um 输出功率: 15mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 640nm 60mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.640um 输出功率: 60mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”多功能性，非常适合不断变化的需求和高性能标准的实验工作。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 660nm 50mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

EP1278-DM-B: DM激光二极管1260-1288nm

美国

分类：半导体激光器

厂商：RPMC Lasers Inc.

中心波长: 1.278um 输出功率: 8mW

Eblana Photonics是用于气体传感应用的可调谐二极管激光器的专家，提供用于氢氟烃检测的EP1278-DM-B激光器，该激光器可在1260 nm至1288 nm范围内连续可调。该激光二极管是可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）的理想选择，为恶劣环境中的实时痕量气体传感（ppm或ppb水平）提供了低维护解决方案。EP1278-DM-B二极管激光器利用了Eblana专有的离散模式（DM）技术，该技术类似于没有大多数DFB固有的模式跳变的传统DFB激光器。

EP1392-DM-B: DM激光二极管1378-1400nm

美国

分类：半导体激光器

厂商：RPMC Lasers Inc.

中心波长: 1.392um 输出功率: 8mW

Eblana Photonics是用于气体传感应用的可调谐二极管激光器的专家，提供用于水蒸气（H2O）检测的EP1392-DM-B激光器，该激光器可在1378 nm至1400 nm范围内连续调谐。该激光二极管是可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）的理想选择。为恶劣环境中的实时痕量气体检测（ppm或ppb水平）提供低维护解决方案。EP1392-DM-B二极管激光器利用了Eblana专有的离散模式（DM）技术，该技术可产生具有出色SMSR的可调单频输出，类似于传统DFB激光器，没有大多数DFB固有的模式跳变。