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  • 激光二极管FIDL-500M-670C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-670C是670nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-670C光源为连续多模式注入半导体激光二极管。它是供应的9毫米外壳,集成PD和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-795X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.795um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-795X是795nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-795X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-808X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-808X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出。电源。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-820X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.820um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-820X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-840X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-850X是一款CW多模注入式半导体激光器芯片,安装在SOT-148 9mmTO-CAN中,集成监控光电二极管以稳定输出功率,并采用TO-3封装,带有TEC、热敏电阻和监控二极管。

  • 激光二极管FIDL-500M-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-500M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-880X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.880um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-880X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-880X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-900X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.900um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-900X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-900X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-905X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-910X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-910X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-920X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.920um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-920X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-920X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-960X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-960X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。这些激光二极管是具有窄光谱宽度和超窄光束发散角的单模发射器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光。

  • 激光二极管FIDL-50M-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-1060X是一款CW多模注入式半导体激光二极管。它以9毫米到CAN和TO-3窗口封装交付,集成了TEC、热敏电阻和监控光电二极管,用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-650D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-650D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-660D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FIDL-50M-660D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-675D-50N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它采用9mmSOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。