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专业选型
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正规认证
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
光电查为您提供1091个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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中心波长: 0.855um 输出功率: 40mWFKLD-40S-855-60X是用MOCVD半导体激光器制作的855nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-40S 855-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.660um 输出功率: 50mWFKLD-50S-660-75X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-660-75X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。
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中心波长: 0.685um 输出功率: 50mWFKLD-50S-685-60X是685nm InGaAlP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-685-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.635um 输出功率: 5mWFKLD-5S-635-50X是635nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FKLD-5S-635-50X是CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.637um 输出功率: 5mWFKLD-5S-637-40X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于低操作电流增强可靠性。FKLD-5S-637-40X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 5mWFKLD-5S-650-50X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 5mWFKLD-5S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 5mWFKLD-5S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 5mWFKLD-5S-650-70X-L是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-70X-L是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于DVD播放器和DVD ROM以及其他光电系统。
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中心波长: 0.670um 输出功率: 5mWFKLD-5S-670-60X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.670um 输出功率: 5mWFKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.850um 输出功率: 5mWFKLD-5S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.640um 输出功率: 60mWFKLD-60S-640-40X是用MOCVD半导体激光器制备的640nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-60S-640-40X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 7mWFKLD-7S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-7S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头（DVD+CDRW组合驱动器）和其他光电系统。
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中心波长: 0.660um 输出功率: 80mWFKLD-80S-660-60X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-80S-660-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。
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中心波长: 0.680um 输出功率: 9mWFKLD-9S-680-60X是680nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-9S-680-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 1.330um 输出功率: 10mWFLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.330um 输出功率: 20mWFLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.330um 输出功率: 30mWFLO-401#403是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1270-1330nm激光二极管，采用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.300um 输出功率: 40mWFLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。