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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
光电查为您提供1091个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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中心波长: 0.637um 输出功率: 10mWFKLD-10S-637-50X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-637-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.637um 输出功率: 10mWFKLD-10S-637-50X-L是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-637-50X-L是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 10mWFKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。
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中心波长: 0.655um 输出功率: 10mWFKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。
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中心波长: 0.670um 输出功率: 10mWFKLD-10S-670-60X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.670um 输出功率: 10mWFKLD-10S-670-70X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-670-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.788um 输出功率: 10mWFKLD-10S-788-60-DB-14是788nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-788-60-DB-14是一款CW单模注入半导体双光束激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。
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中心波长: 0.788um 输出功率: 10mWFKLD-10S-788-60X是用MOCVD半导体激光器制作的788nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FKLD-10S-788-60X是CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于激光二极管模块和其它光电系统。
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中心波长: 0.850um 输出功率: 10mWFKLD-10S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.905um 输出功率: 10mWFKLD-10S-905-70X是905nm InGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-905-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于传感器应用和其他光电系统。
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中心波长: 0.639um 输出功率: 15mWFKLD-15S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-15S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.808um 输出功率: 200mWFKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器，内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。
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中心波长: 0.639um 输出功率: 20mWFKLD-20S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-20S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.850um 输出功率: 20mWFKLD-20S-850-60X是850nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-20S-850-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.808um 输出功率: 300mWFKLD-300M-808-40X-Te-B是用MOCVD半导体激光器制备的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-300M-808-40X-TE-B是一款CW多模注入半导体激光器，内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电子系统。
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中心波长: 0.658um 输出功率: 30mWFKLD-30S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-30S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。
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中心波长: 0.685um 输出功率: 30mWFKLD-30S-685-60X是685nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-30S-685-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
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中心波长: 0.658um 输出功率: 35mWFKLD-35S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-35S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。
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中心波长: 0.785um 输出功率: 3mWFKLD-3S-785-60X-L是用MOCVD半导体激光器制备的785nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-3S-785-60X-L是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。
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中心波长: 0.639um 输出功率: 40mWFKLD-40S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-40S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。