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  • 激光二极管FIDL-20S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-800A-N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.800um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-800A-N是800nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-800A-N是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-810X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.810um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-810X是810nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-810X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-830X是810nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光二极管制备的势阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-830X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-860X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-20S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-20S-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-960X是960nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-960X是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许使用光谱设备以及各种光电系统中的激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-20S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-250M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-1064X是InGaAs/GaAs单量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装,集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-660D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-660D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-675D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-675D是用MOCVD方法制备的基于GaInAlP多量子阱结构的675nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-250M-675D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-685D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-685D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-695D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.695um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-695D是基于GaInAlP多量子阱结构的695nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-695D是CW多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-820X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.820um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-820X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-840X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-850X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-850X-E50 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-850X-E50是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-850X-E50是一款CW多模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。