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  • ROHM Semiconductor
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  • RLD65PZX3 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 664 nm 输出功率: 0 to 0.012 W 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65PZX3是波长为650至664 nm的激光二极管,输出功率为0至0.012 W,工作电压为2.3至2.7 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MFA7 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MFA7是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MFA7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MRA6 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MRA6是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MRA6的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MZM7 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 0 to 0.02 W 工作电压: 1.7 to 2.2 V 工作电流: 0.007 to 0.02 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD78MZM7是波长为775至800nm、输出功率为0至0.02W、工作电压为1.7至2.2V、工作电流为0.007至0.02A、阈值电流为7至20mA的激光二极管。有关RLD78MZM7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78NZM5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.005 to 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD78NZM5是一种激光二极管,其波长为775至800 nm,输出功率为0至0.01 W,工作电压为1.8至2.3 V,工作电流为0.00 5至0.03 A,阈值电流为5至30 mA.有关RLD78NZM5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD82PZJ1 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 812 to 832 nm 输出功率: 0 to 0.22 W 工作电压: 2.4 to 3.3 V 工作电流: 0.05 to 0.07 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD82PZJ1是波长为812~832nm的激光二极管,输出功率为0~0.22W,工作电压为2.4~3.3V,工作电流为0.05~0.07A,阈值电流为50~70mA.有关RLD82PZJ1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • CSL1104WBA 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: InGaN 色度坐标: Cx=0.281, Cy= 0.247 颜色: White RoHS: Yes 正向电压: 2.9 V

    来自Rohm Semiconductor的CSL1104WBA是发光强度为2000cd的InGaN白色LED.它的输出功率为144mW,色度坐标为:0.281,0.247。该LED的正向电压为2.9 V,正向电流为20 mA.反向电压为5 V,反向电流为10μA.它采用紧凑型反射器封装,尺寸为1.6 X 0.8 mm(0603尺寸)。

  • SIM-030ST 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    RoHS: Yes 正向电压: 1.7 to 2.5 V 正向电流: 100 mA 波长: 870 nm

    来自Rohm Semiconductor的SIM-030ST是一款LED,正向电压为1.7至2.5 V,正向电流为100 mA,反向电流为15 uA,波长为870 nm,功率为0至0.18 W(180 MW)。有关SIM-030ST的更多详细信息,请联系我们。

  • SIM-040ST 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    RoHS: Yes 正向电压: 1.7 to 2.5 V 正向电流: 100 mA 波长: 870 nm

    来自Rohm Semiconductor的SIM-040ST是正向电压为1.7至2.5 V、正向电流为100 mA、反向电流为15 uA、波长为870 nm、功率为0至0.18 W(180 MW)的LED.有关SIM-040ST的更多详细信息,请联系我们。

  • SLI-325URC(W) 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    颜色: Red 透镜类型: Circular RoHS: Yes 正向电压: 1.85 V 正向电流: 20 mA

    来自Rohm Semiconductor的SLI-325URC(W)是具有正向电压1.85V、正向电流20mA、发光强度CD 0.036至0.16CD、发光强度MCD 36至160MCD、反向电流100uA的LED.有关SLI-325URC(W)的更多详细信息,请联系我们。

  • SLI-325YC(W) 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    颜色: Yellow 透镜类型: Circular RoHS: Yes 正向电压: 1.9 V 正向电流: 20 mA

    来自Rohm Semiconductor的SLI-325YC(W)是具有正向电压1.9V、正向电流20mA、发光强度CD 0.036至0.16CD、发光强度MCD 36至160MCD、反向电流100uA的LED.有关SLI-325YC(W)的更多详细信息,请联系我们。

  • SML-811DT(C) 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: AlGaInP 颜色: Orange 正向电压: 1.95 V 正向电流: 10 to 25 mA 波长: 602 to 608 nm

    来自Rohm Semiconductor的SML-811DT(C)是一款LED,正向电压为1.95 V,正向电流为10至25 mA,发光强度CD为0.01 12至0.028 CD,发光强度MCD为11.2至28 MCD,反向电流为100µA.有关SML-811DT(C)的更多详细信息,请联系我们。

  • SML-811UT(C) 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: AlGaInP 颜色: Red 正向电压: 1.95 V 正向电流: 10 to 25 mA 波长: 615 to 625 nm

    Rohm Semiconductor的SML-811UT(C)是一款LED,正向电压为1.95 V,正向电流为10至25 mA,发光强度CD为0.01 12至0.02 24 CD,发光强度MCD为11.2至22.4 MCD,反向电流为100µA.有关SML-811UT(C)的更多详细信息,请联系我们。

  • SML-811VT(C) 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: AlGaInP 颜色: Red 正向电压: 1.95 V 正向电流: 10 to 25 mA 波长: 626 to 636 nm

    Rohm Semiconductor的SML-811VT(C)是一款LED,正向电压为1.95 V,正向电流为10至25 mA,发光强度CD为0.01 12至0.02 24 CD,发光强度MCD为11.2至22.4 MCD,反向电流为100µA.有关SML-811VT(C)的更多详细信息,请联系我们。

  • SML-D15系列 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: AIGaInP 颜色: Orange RoHS: Yes 正向电压: 2 V 正向电流: 20 mA

    Rohm Semiconductor的SML-D15系列是一款LED,电流为20 A,正向电压为2 V,正向电流为20 mA,发光强度CD为0.224 CD,发光强度MCD为224 MCD.有关SML-D15系列的更多详细信息,请联系我们。

  • SML-D15DW 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: AIGaInP 颜色: Orange RoHS: Yes 正向电压: 2 V 正向电流: 20 mA

    来自Rohm Semiconductor的SML-D15DW是电流为20mA、正向电压为2V、正向电流为20mA、发光强度CD为0.224cd、发光强度MCD为224mcd的LED.有关SML-D15DW的更多详细信息,请联系我们。

  • SML-D15MW 发光二极管
    日本
    分类:发光二极管
    芯片技术: AIGaInP 颜色: Yellowish-Green RoHS: Yes 正向电压: 2.1 V 正向电流: 20 mA

    来自Rohm Semiconductor的SML-D15MW是电流为20mA、正向电压为2.1V、正向电流为20mA、发光强度CD为0.071cd、发光强度MCD为71mcd的LED.有关SML-D15MW的更多详细信息,请联系我们。