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  • 美国
  • SunLED
参数:
  • 集电极发射极电压(击穿)

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)

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  • 集电极发射极电压(饱和)

    Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current(nA)

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  • 发射极集电极电压(击穿)

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current(mA)

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  • 波长(光谱灵敏度)

    Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)

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  • XRNI12W 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNI12W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA.有关XRNI12W的更多详细信息,请联系我们。

  • XRNI30W-1 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNi30W-1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNi30W-1的更多详细信息,请联系我们。

  • XRNI82B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息,请联系我们。

  • XZRNI45S 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi45S是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XZrNi45S的更多详细信息,请联系我们。

  • XZRNI56W-1 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息,请联系我们。