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  WP7113P3BT

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7至3 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息，请联系我们。

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  WP7113P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  LA PT28AP1

  德国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light Avenue

  安装类型: Chip 光电晶体管型: Phototransistor 集电极发射极电压（击穿）: 6 V 集电极暗电流: 3 to 50 nA 发射极集电极电压（击穿）: 1.5 V

  来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW36

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  Light In Motion的BPW36是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW36的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW37

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light In Motion的BPW37是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW37的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW38

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes

  来自Light In Motion的BPW38是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW38的更多详细信息，请联系我们。

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  L14C1

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14C1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.16 mA，功耗300至600 MW.有关L14C1的更多详细信息，请联系我们。

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  L14C2

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light In Motion的L14C2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.08 mA，功耗300至600 MW.有关L14C2的更多详细信息，请联系我们。

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  L14F1

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes

  来自Light In Motion的L14F1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F1的更多详细信息，请联系我们。

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  L14F2

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes

  来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请联系我们。

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  L14G1

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请联系我们。

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  L14G2

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light In Motion的L14G2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G2的更多详细信息，请联系我们。

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  L14G3

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请联系我们。

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  L14N1

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14N1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流1 mA，功耗300至600 MW.有关L14N1的更多详细信息，请联系我们。

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  L14N2

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请联系我们。

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  L14P1

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14P1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流6.5 mA，功耗300至600 MW.有关L14P1的更多详细信息，请联系我们。

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  L14P2

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light in Motion的L14P2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为13 mA，功耗为300至600 MW.有关L14P2的更多详细信息，请联系我们。

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  L14U1

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light In Motion的L14U1是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U1的更多详细信息，请联系我们。

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  L14U2

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

  来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请联系我们。

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  QLTP660CPD

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Light in Motion

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Miniature Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

  来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请联系我们。