参数:
  • 集电极发射极电压(击穿)

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)

    确定 取消
  • 集电极发射极电压(饱和)

    Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)

    确定 取消
  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current(nA)

    确定 取消
  • 发射极集电极电压(击穿)

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)

    确定 取消
  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current(mA)

    确定 取消
  • 波长(光谱灵敏度)

    Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)

    确定 取消
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光电查为您提供188个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • QSA156 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:Light in Motion
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA156是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA156的更多详细信息,请联系我们。

  • QSA157 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:Light in Motion
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA157是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA157的更多详细信息,请联系我们。

  • QSA158 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:Light in Motion
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA158是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA158的更多详细信息,请联系我们。

  • QSA159 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:Light in Motion
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA159是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA159的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD6000PT-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600N-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm,开关时间(上升/下降)为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA,C-E饱和电压为0.2 V,集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装,尺寸为Ø5.4 mm,是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE30133 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自NTE Electronics,Inc的NTE30133是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3031 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc的NTE3031是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3032 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc的NTE3032是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)80 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关NTE3032的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3034A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc的NTE3034A是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.25至0.4 V,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3035A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为60 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.75至1 V,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3036 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc的NTE3036是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)50 V,集电极暗电流10至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.6至1 V,发射极集电极电压(击穿)10至15.5 V,功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3037 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc的NTE3037是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)50 V,集电极暗电流10至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.25至0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3039 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)30 V,功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3120 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自NTE Electronics,Inc的NTE3120是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为20 V,集电极暗电流为0.01至1 uA,集电极发射极电压(饱和)为1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1至3 mA.有关NTE3120的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3123 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    NTE Electronics,Inc的NTE3123是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流10 uA,集电极发射极电压(饱和)1 V,导通状态集电极电流0.2至0.8 mA,功耗75 MW.有关NTE3123的更多详细信息,请联系我们。