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电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pFVishay Intertechnology的TEMD5120X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD5120x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7000ITX01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7000ITX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7000X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7000X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7100ITX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7100ITX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7100X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7100X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pF
Vishay Intertechnology的VBP104FAS是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBP104FAS的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pFVishay Intertechnology的VBP104FASR是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBP104FASR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pF
Vishay Intertechnology的VBP104S是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBP104S的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pF
Vishay Intertechnology的VBP104SR是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBP104SR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF
Vishay Intertechnology的VBPW34FAS是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBPW34FAS的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF
Vishay Intertechnology的VBPW34FASR是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBPW34FASR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VBPW34S是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBPW34S的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VBPW34SR是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VBPW34SR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.7 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为1.7至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1060X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD10940F是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD10940F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 to 3.3 pFVishay Intertechnology的VEMD10940FX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.5至3.3 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD10940FX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为1.8至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1160x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.5 to 1.1 pFVishay Intertechnology的VEMD11940FX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为0.5至1.1 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD11940FX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2000X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2000X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2003X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2003X01的更多详细信息，请联系我们。