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电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2020X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2020X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2023SLX01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2023SLX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2023X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2023X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2500X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2500X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2503x01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2503x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2520x01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2520X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2523X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1110 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pFVEMD5080x0是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管，对350至1100 nm的可见光具有增强的灵敏度。它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有7.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。光电二极管尺寸为5 X 4 X 0.9 mm，非常适合高速光电探测器应用。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VEMD5110X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5110X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5160X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5510C是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 540 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5510CF是一款光电二极管，波长范围为540 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510CF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pFVishay Intertechnology的VEMD6010x01是一款光电二极管，波长范围900 nm，电容3.6至12 PF，暗电流1至3 nA，上升时间100 ns.有关VEMD6010x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pFVishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为4.8至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pFVishay Intertechnology的VEMD6110X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为3.6至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD6110x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.6 to 11 pFVishay Intertechnology的VEMD6160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为4.6至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6160x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nAVishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管，峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V，反向暗电流为0.2nA，光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装，尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm，非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。