参数:
  • 电容

    Capacitance(pF)

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  • 暗电流

    Dark Current(e/px/s)

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity(A/W)

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  • 波长范围

    Wavelength Range(nm)

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  • PIN-6DPI 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2000 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-6DPI是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为2000 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为220 ns.有关Pin-6DPI的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-DSIn-TEC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管,波长范围为1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TOP)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-DSIn 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm(Si-TOP)、1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TO-P)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-DSS 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSS是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm(Si-TOP)、950至1100 nm(Si),电容为70 PF,响应度/光敏度为0.45 A/W(Si-TOP)、0.12 A/W(Si),上升时间为10µs(Si-TO)、150µs(Si)。有关PIN-DSS的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR005是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.6 ns.有关引脚HR005的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR005L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR005L是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为O.6 ns.有关引脚HR005L的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR008 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR008是一种光电二极管,波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.6 ns.有关引脚HR008的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR008L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR008L是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.6 ns.有关引脚HR008L的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR020 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN HR020是一款光电二极管,波长范围为800 nm,电容为1.8 PF,暗电流为0.06至0.1 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为0.8 ns.有关引脚HR020的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR020L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR020L是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为1.8 PF,暗电流为0.06至0.1 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为0.8 ns.有关引脚HR020L的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR026 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.6 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN HR026是一种光电二极管,波长范围为800 nm,电容为2.6 PF,暗电流为0.1至1.5 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为0.9 ns.有关引脚HR026的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR026L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.6 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR026L是一种光电二极管,波长范围为800 nm,电容为2.6 PF,暗电流为0.1至1.5 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.9 ns.有关引脚HR026L的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR040 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.9 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN HR040是一种光电二极管,波长范围为800 nm,电容为4.9 PF,暗电流为0.3至2 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为1 ns.有关引脚HR040的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-HR040L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.9 pF

    来自OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR040L是波长范围为800nm、电容为4.9pF、暗电流为0.3至2nA、响应度/光敏度为0.45至0.50A/W、上升时间为1ns的光电二极管。有关引脚HR040L的更多详细信息,请联系我们。

  • QD50-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 125 pF 暗电流: 15 to 30 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的QD50-0是波长范围为900 nm、电容为125 PF、暗电流为15至30 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD50-0的更多详细信息,请联系我们。

  • QD7-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息,请联系我们。

  • S-100CL 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 375 pF 暗电流: 600 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的S-100CL是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为375 PF,暗电流为600 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-100CL的更多详细信息见下文。

  • S-100VL 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的S-100VL是一种波长范围为970 nm、电容为8500 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-100VL的更多详细信息,请联系我们。

  • S-10CL 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 pF 暗电流: 40 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的S-10CL是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为30 PF,暗电流为40 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-10CL的更多详细信息见下文。

  • S-10VL 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的S-10VL是一款波长范围为970 nm、电容为750 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-10VL的更多详细信息,请联系我们。