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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
暗电流
Dark Current(e/px/s)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range(nm)
确定 取消
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家:Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W
Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。