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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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Opto Diode Corporation的UVG100是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为10µs，电容为10至20 NF，响应度/光敏度为0.08至0.13 A/W.有关UVG100的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的UVG12是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为4µsec，电容为3至7 NF，响应度/光敏度为0.10 5至0.125 A/W，有效面积直径为4.1 mm.有关UVG12的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的UVG20C是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为0.8至3.3µsec，暗电流为30 nA，电容为4至10 NF，有效面积直径为4.9 mm.有关UVG20C的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的UVG20S是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为4µsec，电容为2.5至4 NF，响应度/光敏度为0.105至0.125 A/W，有效面积直径为5.5 mm.有关UVG20S的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的UVG5是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为1至2µsec，暗电流为1 nA，电容为2 NF，响应度/光敏度为0.09至0.115 A/W.有关UVG5的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的UVG5S是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为1至2µsec，暗电流为1 nA，电容为2 NF，响应度/光敏度为0.09至0.115 A/W.有关UVG5S的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 3 nm RoHS: YesOpto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm，响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 40 nm RoHS: YesOpto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm，响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0.0124 to 190 nm RoHS: YesOpto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0 to 250 nm RoHS: YesOpto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF，反向击穿电压为160V，上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。
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波长范围: 0.01 to 190 nm RoHS: Yes 电容: 10 nF 暗电流: 100 nA来自Opto Diode Corporation的AXUV63HS1-CH是波长范围为0.01至190 nm、电容为10 NF、暗电流为100 nA、上升时间为2 nsec、有源区直径为9 mm的光电二极管。有关AXUV63HS1-CH的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 暗电流: 100 nA 响应度/光敏度: 0.05 to 0.25 A/WOpto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF，反向击穿电压为160V，上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat SapphireOpto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm，探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W，峰值灵敏度波长为3.8µm，响应率为3 X 10^4 V/W，电阻为0.7-1.5 mOhm，时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，带有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat SapphireOpto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm，探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.7-2.5 MΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat SapphireOpto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.75 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge FilterOpto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.0 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.0 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装，具有2.4µm长通GE滤波器窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat SapphireOpto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm，响应度为1.65×104~2.5×104V/W，有效元件面积为36mm2，最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ，时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装，具有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/WOpto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。
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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/WOpto Diode Corporation的NXIR-RF100是一款光电二极管，波长范围为320至1100 nm，电容为3 PF，暗电流为0.1至0.75 nA，响应度/光敏度为0.35至0.62 A/W，上升时间为50 nsec.有关NXIR-RF100的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nAOpto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管，工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm，灵敏度为0.62A/W（λ=850nm），0.35A/W（λ=1064nm）。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。