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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1385个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 220 to 360 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pFRoithner Lasertechnik的SiC01M-5透镜是一款光电二极管，波长范围为220至360 nm，电容为50 PF，暗电流为0.07 fA，响应度/光敏度为0.085至0.130 A/W.有关SiC01M-5透镜的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 220 to 360 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pFRoithner Lasertechnik的SiC01S-18是一款光电二极管，波长范围为220至360 nm，电容为15 PF，暗电流为0.2 fA，响应度/光敏度为0.085至0.130 A/W.SiC01S-18的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 220 to 360 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pFRoithner Lasertechnik的SiC01S-18ISO90是一款光电二极管，波长范围为220至360 nm，电容为15 PF，暗电流为0.2 fA，响应度/光敏度为0.085至0.130 A/W.SiC01S-18ISO90的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 231 to 309 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pFRoithner Lasertechnik的SiC01S-B18是一款光电二极管，波长范围为231至309 nm，电容为15 PF，暗电流为0.2 fA，响应度/光敏度为0.125 A/W.SiC01S-B18的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 221 to 284 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pFRoithner Lasertechnik的SiC01S-C18是一款光电二极管，波长范围为221至284 nm，电容为15 PF，暗电流为0.2 fA，响应度/光敏度为0.066至0.100 A/W.SiC01S-C18的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 221 to 358 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1900 pFRoithner Lasertechnik的SiC01XL-5是一款光电二极管，波长范围为221至358 nm，电容为1900 PF，暗电流为25.3 fA，响应度/光敏度为0.130 A/W.SiC01XL-5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 309000 to 367000 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1900 pFRoithner Lasertechnik的SiC01XL-A5是一款光电二极管，波长范围为309000至367000 nm，电容为1900 PF，暗电流为25.3 fA，响应度/光敏度为0.037 A/W.SiC01XL-A5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pFRoithner Lasertechnik的SPD17-0F是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为6 PF，上升时间为10 ns.有关SPD17-0F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pFRoithner Lasertechnik的SPD17-0T是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为6 PF，上升时间为10 ns.SPD17-0T的更多细节可以在下面看到。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: SiliconRoithner Lasertechnik的SPD19-C是一款光电二极管，波长范围为900 nm，上升时间为6 ns.有关SPD19-C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 18 pFRoithner Lasertechnik的SPD400-0F是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为18 PF，上升时间为45 ns.有关SPD400-0F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pFRoithner Lasertechnik的SPD64-02是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为6 PF，上升时间为10 ns.有关SPD64-02的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pFRoithner Lasertechnik的SPD64-04是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为6 PF，上升时间为10 ns.有关SPD64-04的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: SiliconRoithner Lasertechnik的SPT36-C是一款光电二极管，波长范围为900 nm，上升时间为20µs.有关SPT36-C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 280 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Roithner Lasertechnik的UV-TIAMO-BL是波长范围为280nm，带宽为15Hz，响应度/光敏度为280mV/NW/cm2，上升时间为0.182s的光电二极管。有关UV-TIAMO-BL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 290 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Roithner Lasertechnik的UV-Tiamo-M是波长范围为290nm、带宽为15Hz、响应度/光敏度为280mV/NW/cm2、上升时间为0.069s的光电二极管。有关UV-Tiamo-M的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 290 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Roithner Lasertechnik的UV-Tiamo-S是波长范围为290 nm、带宽为15 Hz、响应度/光敏度为280 MV/NW/cm2、上升时间为0.073 s的光电二极管。有关UV-Tiamo-S的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 280 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Roithner Lasertechnik的UV-Tiamo是波长范围为280nm、带宽为15Hz、响应度/光敏度为280mV/NW/cm2、上升时间为0.066s的光电二极管。有关UV-Tiamo的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的LDB系列是一款光电二极管，波长范围为0.8µm至1.7µm，响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LDB系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/WSensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm，像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能，可防止电荷从饱和像素流出，并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路（ROIC）集成，可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线，以实现最佳ROIC性能，并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成，用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块，非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。