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  GUVC-T20GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-S10SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-T10GD-L

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

  Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-T20GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GVBL-S12SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVBL-T12GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVGR-S11SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVGR-T10GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管，波长范围为300至510 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息，请联系我们。

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  GAP5000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

  GPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管，波长范围为850至1550 nm，带宽为4 MHz，电容为750至2500 PF，暗电流为5至10µA，响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV200

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV202

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV203

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV204

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。

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  IAV205

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。

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  IAV350

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV352

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

  GPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

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  IAV353

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

  GPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

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  IAV80

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV80是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV80BL

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV80BL是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80BL的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV80PTS

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV80PTS是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV80PTS的更多详情见下文。