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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1382个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA
来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。
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波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA
来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为300 PF，暗电流为10至30 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。
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波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为50至190 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pFMarktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管，工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF，击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装，尺寸为5 X 5 mm，是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装，比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。
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来自Menlo Systems的APD210是波长范围为400至1000nm、上升时间为500ps、带宽调制带宽：5至1000MHz、有源区直径为0.5mm的光学检测器。有关APD210的更多详细信息，请联系我们。
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工作模式: CW LaserNP Photonics，Inc.的LC系列是波长为1030至1065 nm、功率为25至125 MW、输出功率（CW）为25至125 MW的激光器。有关LC系列的更多详细信息，请联系我们。
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1260 - 1650 nmOSI Laser Diode Inc LAPD 3030-SMR是一款30um InGaAs APD，采用3引脚同轴封装
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1260 - 1650 nmLAPD 1550-30R是一款30um InGaAs台面结构APD，封装在密封的3引脚至46封装中
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1250nm 工作波长范围: 800 - 1700 nmLAPD 1550-200R是一款200um InGaAs APD，采用3引脚TO46密封封装。低噪声、高灵敏度
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nAOSI Laser Diode，Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为50 PF，暗电流为0.02至0.05 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 暗电流: 0.04 to 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为200 PF，暗电流为0.04至2 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 170 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 pF 响应度/光敏度: 0.50 A/WOSI Laser Diode，Inc.的A2V-76是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为160 PF，响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pFOSI Laser Diode，Inc.的A5C-35是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pFOSI Laser Diode，Inc.的A5C-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.有关A5C-38的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pFOSI Laser Diode，Inc.的A5V-35是一款波长范围为970 nm、电容为340 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A5V-35的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pFOSI Laser Diode，Inc.的A5V-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为340 PF，响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为1000 MHz，电容为1.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为900 MHz，电容为3 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。