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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pFLaser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度，并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装，是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG24系列是一款光电二极管，波长范围为2.35µm，电容为60至1040 PF，暗电流为0.2至25 uA，响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W，有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻，在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器，覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器，孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC（温度通量补偿）组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源，采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管，在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconLaser Components的SAE500VX是一款光电二极管，波长范围为400至1000 nm，电容为4至10 PF，暗电流为5至30 nA，响应度/光敏度为30至38 A/W，上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconLaser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD，波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm，有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装，是测距和光通信系统的理想选择。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nALaser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列，工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数，元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装，非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列，具有16个元件，采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm，可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: SiliconLaser Components的SAP500系列基于“穿透”结构，具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm，既可用于增益高达250或更高的正常线性模式，也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上，以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用，包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中，或者作为选项，它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pFLaser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1260 to 1620 nm 暗电流: 20 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 1 A/WLaserscom的APMI-2.5G-M是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为1.5 GHz，暗电流为20至50 nA，响应度/光敏度为0.80至1 A/W.APMI-2.5G-M的更多详细信息见下文。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1650 nm 电容: 0.25 to 0.3 pF 暗电流: 1 to 1.5 nA来自Laserscom的PDI-35-10G-W是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.25至0.3 PF，暗电流为1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.9至1 A/W.PDI-35-10G-W的更多详情见下文。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1650 nm RoHS: YesLaserscom的PDI-3P30-10G-W是一款PIN光电二极管模块，工作波长范围为1000至1650 nm.它的光功率为30 MW，响应度为0.70 A/W.光电二极管的工作电压为5 V，暗电流为1 nA.它配有单模光纤，可提供-45 dB的低背反射，是高速光通信系统的理想选择。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 to 1700 nm 电容: 0.55 to 0.80 pF 暗电流: 0.02 to 0.08 nA来自Laserscom的PDI-40-4G-K是一款光电二极管，波长范围为850至1700 nm，电容为0.55至0.80 PF，暗电流为0.02至0.08 nA，响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.有关PDI-40-4G-K的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1700 nm 电容: 0.55 to 0.80 pF 暗电流: 0.005 to 0.02 nA来自Laserscom的PDI-4P40-4G-K-R50是一款光电二极管，波长范围1000至1700 nm，电容0.55至0.80 PF，暗电流0.005至0.02 nA，响应度/光敏度0.85至0.9 A/W.有关PDI-4P40-4G-K-R50的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 to 1700 nm 电容: 0.95 to 1.1 pF 暗电流: 0.03 to 0.16 nA来自Laserscom的PDI-80-2G-K是一款光电二极管，波长范围为850至1700 nm，电容为0.95至1.1 PF，暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.PDI-80-2G-K的更多详情见下文。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1700 nm 电容: 0.95 to 1.1 pF 暗电流: 0.03 to 0.16 nA来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K-R50是一款光电二极管，波长范围为1000至1700 nm，电容为0.95至1.1 PF，暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0.85至0.9 A/W.有关PDI-8P50-2G-K-R50的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1650 nm RoHS: Yes来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.65至0.8 PF（芯片），0.95至1.1 PF（总电容），暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0。8至0。85 A/W.有关PDI-8P50-2G-K的更多详细信息，请联系我们。
