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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1382个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 730 pF来自Light Avenue的LA PD120AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为730 PF、暗电流反向暗电流为2至5 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD120AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 90 pF来自Light Avenue的LA PD120BP1是波长范围为940 nm、带宽为350至1100 nm、电容为30至90 PF、暗电流为2至5 nA、上升时间为40 ns的光电二极管。有关LA PD120BP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 25 to 70 pF来自Light Avenue的LA PD120HP1是波长范围为940nm、带宽为430至1100nm、电容为25至70pF、暗电流为2至5nA、上升时间为100ns的光电二极管。有关LA PD120HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.3 pF来自Light Avenue的LA PD26HP1是波长范围为900 nm、带宽为430至1100 nm、电容为1.3 PF、反向暗电流为0.1至3 nA、上升时间为4 ns的光电二极管。有关LA PD26HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 28 pF来自Light Avenue的LA PD28AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为28 PF、反向暗电流为0.1至2 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD28AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 to 18 pF来自Light Avenue的LA PD60HP1是波长范围为950nm、带宽为590至1070nm、电容为6至18pF、暗电流为3至5nA、上升时间为625ns的光电二极管。有关LA PD60HP1的更多详细信息，请联系我们。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nmMarktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф230um）0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nmMarktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф500um）2 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nmMarktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD（LCC）类型，并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR（800nm）增强型500µm直径APD，可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-022是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-022的更多详情见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-023是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为6至20 PF，暗电流为0.2至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-023的更多详情见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-036是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-036的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-002是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-002的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-003的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-004是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-004的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-005的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-006是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-006的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-007的更多详细信息，请联系我们。