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  IAV352

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

  GPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

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  IAV353

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

  GPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

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  IAV80

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV80是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV80BL

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV80BL是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80BL的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV80PTS

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV80PTS是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV80PTS的更多详情见下文。

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  IAV81

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV81是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV81的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV82

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

  GPD Optoelectronics的IAV82是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV82的更多详细信息，请联系我们。

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  P13243-045CF

  日本

  分类：光电二极管

  厂商：Hamamatsu Photonics

  工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

  Hamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管，工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W，光谱响应半峰全宽（FWHM）为350nm，探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W，光敏面积为0.7×0.7mm，视场为90°，带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns，噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2，分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装，非常适合火焰监测应用。

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  P13243-045MF

  日本

  分类：光电二极管

  厂商：Hamamatsu Photonics

  工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

  Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管，工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W，光谱响应半峰全宽（FWHM）为350nm，探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W，光敏面积为0.7×0.7mm，带通滤波器为4.45μm，视场为82°。它的上升时间为15 ns，噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2，分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装，非常适合火焰监测应用。

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  P13894-011CN

  日本

  分类：光电二极管

  厂商：Hamamatsu Photonics

  工作模式: Photovoltaic 波长范围: 9.7 to 11 µm 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.6 pF

  Hamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm，灵敏度为2mA/W，探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W，最大上升时间为10ns，最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω，终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装，非常适合辐射温度计和气体检测（CH4、CO2、Co、NH3、O3等）应用。

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  光电倍增管

  日本

  分类：光电二极管

  厂商：Hamamatsu Photonics

  接近角: 300-650 Degree 有效区域: 1*3

  我们利用我们独特的微细加工技术来设计和开发各种微型 PMT，这些 PMT 体积小巧轻便，同时保持了光电倍增管众所周知的高性能。 Micro PMT器件采用MEMS技术的阳极键合，将硅基板与玻璃基板连接在一起，因此具有很强的抗冲击性。这种高缓冲或抗冲击性使其成为开发高性能手持式测试和分析设备的理想选择。

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  H1系列APD接收器，集成前置放大器和温度传感器

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: Si, InGaAs 工作波长: 400 - 1100nm 工作波长范围: 900 - 1700 nm

  超低噪声H1系列采用12引脚TO-8封装，内置温度传感器，可进行温度补偿。较大带宽为1 MHz至25 MHz，具体取决于版本。

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  砷化镓雪崩光电二极管IAG-系列

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

  IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD，在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。

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  低成本雪崩光电二极管阵列SAH-系列

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: HgCdTe 工作波长: 800 - 900nm 工作波长范围: 800 - 900 nm

  定制的硅APD阵列具有高灵敏度和低串扰，针对800-900 nm波长范围进行了优化。可以容易地以从8到16个元件的可变尺寸来配置阵列。更高的像素计数和多行配置也是可能的。其他选项包括集成电子设备和带通滤波器。

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  低成本的硅雪崩光电二极管SAH-系列

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: Si 工作波长: 905nm 工作波长范围: 400 - 1000 nm

  SAH230M2和SAH500M2是采用微型SMD封装的低成本通用硅APD。响应性针对850nm和905nm测距仪进行了优化。

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  硅雪崩光电二极管SAE-, SAR-, SARF-系列

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: Si 工作波长: 250 - 1100nm 工作波长范围: 250 - 1100 nm

  硅雪崩光电二极管用于250nm和1100nm之间的波长范围。这些光电二极管的雪崩效应使它们非常适合于检测极弱的光强度。不同的版本针对其各自的波长范围进行优化。

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  IAG 080X

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  来自Laser Components的IAG 080X是一款光学探测器，波长范围为1000至1630 nm，暗电流为1至15 nA，电容为0.32至0.4 PF，带宽为1.5至3 GHz，响应度/光敏度为0.85至1 A/W.IAG 080X的更多详情见下文。

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  IAG 200X

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  来自Laser Components的IAG 200X是一款光学探测器，波长范围为1000至1630 nm，暗电流为8至50 nA，电容为1.5至2 PF，带宽为0.5至2 GHz，响应度/光敏度为0.85至95 A/W.IAG 200X的更多详情见下文。

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  IAG 350X

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  Laser Components的IAG 350X是一款InGaAs雪崩光电二极管，可在1100 nm至1630 nm的光谱范围内进行检测。该探测器在1550nm处的峰值响应度为0.94A/W，在1000~1600nm范围内的量子效率大于70%。它的有源区直径为350微米，带宽高达2.5 GHz.该光电二极管具有大于200kW/cm2的高损伤阈值。芯片密封在改进的TO-46封装中或安装在陶瓷底座上。该探测器是测距应用、自由空间光通信和高分辨率光学相干层析成像的理想选择。

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  IG17X1000S4i

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  Laser Components的IG17X1000S4i是一款光学探测器，截止波长范围为1.65µm，暗电流为1至8 nA，电容为215 PF，响应度/光敏度为0.9至1.05 A/W，有效面积直径为1000µm.有关IG17X1000S4i的更多详细信息，请联系我们。