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  • MTAPD-06-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-015的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-016 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-016的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-001的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-003 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-003的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-005的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-007 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-007的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-009 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-009的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-010 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-010是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-010的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-011 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-011的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-012 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-012的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-013 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-013的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-014 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-014的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-015的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-016 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-016的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD1114M3B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 925 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 to 130 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD1114M3B是波长范围为925 nm、电容为100至130 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1114M3B的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD1200M3B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 925 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 100 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD1200M3B是波长范围为925 nm、电容为80至100 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1200M3B的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD3010N 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3010N是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD3010N的更多详情见下文。

  • MTD3010PM 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 100 pF 暗电流: 10 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3010PM是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为60至100 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.58 A/W.MTD3010PM的更多详情见下文。

  • MTD3910D3 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 6 to 12 pF 暗电流: 10 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3910D3是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为6至12 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.45 A/W.MTD3910D3的更多详情见下文。

  • MTD5010N 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010N是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010N的更多详情见下文。