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VEMD2523SLX01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

Vishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD2523X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

Vishay Intertechnology的VEMD2523X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5010X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5060X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5080X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1110 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

VEMD5080x0是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管，对350至1100 nm的可见光具有增强的灵敏度。它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有7.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。光电二极管尺寸为5 X 4 X 0.9 mm，非常适合高速光电探测器应用。

VEMD5110X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5110X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5110X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5160X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5160X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5510C

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5510C是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510C的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5510CF

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 540 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5510CF是一款光电二极管，波长范围为540 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510CF的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6010X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6010x01是一款光电二极管，波长范围900 nm，电容3.6至12 PF，暗电流1至3 nA，上升时间100 ns.有关VEMD6010x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6060X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为4.8至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6110X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6110X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为3.6至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD6110x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6160X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.6 to 11 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为4.6至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6160x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD8080

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nA

Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管，峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V，反向暗电流为0.2nA，光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装，尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm，非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。

C30619GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

C30641GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

C30642GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

C30645L-080

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

C30662L-200

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

C30665GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。