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  • 501820 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.2 to 1 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/W

    First Sensor的501820是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为1.5 PF,暗电流为0.2至1 nA,响应度/光敏度为40至50 A/W,有效面积直径为230µm.有关501820的更多详细信息,请联系我们。

  • 501828 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/W

    First Sensor的501828是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为0.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为40至50 A/W,有效面积直径为100µm.有关501828的更多详细信息,请联系我们。

  • 501829 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/W

    First Sensor的501829是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为0.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为40至50 A/W,有效面积直径为100µm.有关501829的更多详细信息,请联系我们。

  • 501830 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/W

    First Sensor的501830是一个光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为0.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为40至50 A/W,有效面积直径为100µm.有关501830的更多详细信息,请联系我们。

  • 501831 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 45 to 50 A/W

    First Sensor的501831是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为0.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为45至50 A/W,有效面积直径为100µm.有关501831的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-GaAs-XXM 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 650 to 860 nm 光电二极管材料: GaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管,波长范围为650至860 nm,带宽为2 GHz,电容为0.65 PF,暗电流为0.03 nA,响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • FCI-InGaAs-QXXX series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,电容为25至225 PF,暗电流为0.5至100 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W,上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-XXM series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为2 GHz,电容为0.65 PF,暗电流为0.03 nA,响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息,请联系我们。

  • Lms49PD-05 光电二极管
    俄罗斯
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photovoltaic, Photoconductive 暗电流: 17 mA 响应度/光敏度: 1 A/W

    LED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管,可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm,最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA,光敏度为1 A/W,截止波长(10%水平)为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装,具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。

  • APMI-2.5G-M 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1260 to 1620 nm 暗电流: 20 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 1 A/W

    Laserscom的APMI-2.5G-M是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为1.5 GHz,暗电流为20至50 nA,响应度/光敏度为0.80至1 A/W.APMI-2.5G-M的更多详细信息见下文。

  • PDI-35-10G-W 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1650 nm 电容: 0.25 to 0.3 pF 暗电流: 1 to 1.5 nA

    来自Laserscom的PDI-35-10G-W是一款光电二极管,波长范围为1000至1650 nm,电容为0.25至0.3 PF,暗电流为1至1.5 nA,响应度/光敏度为0.9至1 A/W.PDI-35-10G-W的更多详情见下文。

  • PDI-3P30-10G-W 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1650 nm RoHS: Yes

    Laserscom的PDI-3P30-10G-W是一款PIN光电二极管模块,工作波长范围为1000至1650 nm.它的光功率为30 MW,响应度为0.70 A/W.光电二极管的工作电压为5 V,暗电流为1 nA.它配有单模光纤,可提供-45 dB的低背反射,是高速光通信系统的理想选择。

  • PDI-40-4G-K 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 to 1700 nm 电容: 0.55 to 0.80 pF 暗电流: 0.02 to 0.08 nA

    来自Laserscom的PDI-40-4G-K是一款光电二极管,波长范围为850至1700 nm,电容为0.55至0.80 PF,暗电流为0.02至0.08 nA,响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.有关PDI-40-4G-K的更多详细信息,请联系我们。

  • PDI-4P40-4G-K-R50 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1700 nm 电容: 0.55 to 0.80 pF 暗电流: 0.005 to 0.02 nA

    来自Laserscom的PDI-4P40-4G-K-R50是一款光电二极管,波长范围1000至1700 nm,电容0.55至0.80 PF,暗电流0.005至0.02 nA,响应度/光敏度0.85至0.9 A/W.有关PDI-4P40-4G-K-R50的更多详细信息,请联系我们。

  • PDI-80-2G-K 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 to 1700 nm 电容: 0.95 to 1.1 pF 暗电流: 0.03 to 0.16 nA

    来自Laserscom的PDI-80-2G-K是一款光电二极管,波长范围为850至1700 nm,电容为0.95至1.1 PF,暗电流为0.03至0.16 nA,响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.PDI-80-2G-K的更多详情见下文。

  • PDI-8P50-2G-K-R50 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1700 nm 电容: 0.95 to 1.1 pF 暗电流: 0.03 to 0.16 nA

    来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K-R50是一款光电二极管,波长范围为1000至1700 nm,电容为0.95至1.1 PF,暗电流为0.03至0.16 nA,响应度/光敏度为0.85至0.9 A/W.有关PDI-8P50-2G-K-R50的更多详细信息,请联系我们。

  • PDI-8P50-2G-K 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1650 nm RoHS: Yes

    来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K是一款光电二极管,波长范围为1000至1650 nm,电容为0.65至0.8 PF(芯片),0.95至1.1 PF(总电容),暗电流为0.03至0.16 nA,响应度/光敏度为0。8至0。85 A/W.有关PDI-8P50-2G-K的更多详细信息,请联系我们。

  • PMI-10G-K 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1260 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.2 pF

    Laserscom的PMI-10G-K是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为9.0 GHz,电容为0.2 PF,暗电流为30 pA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.PMI-10G-K的更多详细信息见下文。

  • PMI-10G-L 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1260 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Laserscom的PMI-10G-L是波长范围为1260至1620 nm、带宽为7.0 GHz的光电二极管。下面可以看到PMI-10G-L的更多详细信息。