• CLD340硅光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: GaInAsSb 工作波长: 880nm

    CLD340是一款高温AlGaAs光电二极管,设计灵敏度为830至910nm。在背景照明可能导致问题的情况下使用时,这种专业探测器不需要信号调制或过滤环境光。0.040 X 0.040芯片安装在平面窗口TO-46封装中。建议使用CLE335进行光耦合。

  • 高灵敏度的2.5Gbps PIN-PD TIA TO 光网络配件
    基里巴斯
    分类:光网络配件
    厂商:Wooriro

    高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO是一款TO-46封装的InGaAs引脚PD器件,具有高灵敏度TIA,可用于高达2.5Gbps的光纤通信网络应用。引脚PD/TIA安装在TO-46针座上,并用镜头盖密封。高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO具有宽输入动态范围,支持不同的传输距离要求。它的典型输入过载为3dBm,支持短距离光纤系统。此外,-30.0 dBm的典型输入灵敏度允许在噪声环境中检测非常小的信号,使其成为高分流比PON网络的理想选择。高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO具有超高灵敏度,无需使用雪崩光电二极管即可精确检测光学数据。

  • HTS M11检测器 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 5 - 20 um 尺寸: 13.5mm 噪声等效功率: 38uW

    HMS M系列是单热电堆传感器,采用小型TO-46封装,配有透镜光学器件。它们设计用于非接触式短距离温度测量。有两种不同的镜头光学系统可供选择。结合不同的热电堆芯片尺寸,FOV可以在12°和28°之间。这些传感器也可作为模块提供,带有集成的模拟或数字信号调节单元,以简化应用。

  • 795nm VCSEL;TO46封装带TEC;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 光功率: 0 W 储存温度: -40 to 125°C 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

    单横模、795nm VCSEL,TO-46封装

  • L795VH1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 788 to 800 nm 输出功率: 0.25 mW

    Thorlabs的L795VH1是一款AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为788至800 nm,在线性偏振的圆形高斯光束中提供高达0.25 MW的功率。它的频谱轮廓是单模的,并且具有20dB的单模抑制比(SMSR)。这款紧凑型光源采用H引脚配置的TO-46封装,适合单频应用。激光二极管发射红外光,这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • L850VG1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 波长: 850 nm 输出功率: 2 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    Thorlabs的L850VG1是一款2 MW AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为850 nm.该VCSEL二极管具有单纵向和单横向工作模式。它输出圆形高斯光束。该激光器采用TO-46封装,具有G引脚配置。它会发出对人眼有害的不可见光。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • IAG 350X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components

    Laser Components的IAG 350X是一款InGaAs雪崩光电二极管,可在1100 nm至1630 nm的光谱范围内进行检测。该探测器在1550nm处的峰值响应度为0.94A/W,在1000~1600nm范围内的量子效率大于70%。它的有源区直径为350微米,带宽高达2.5 GHz.该光电二极管具有大于200kW/cm2的高损伤阈值。芯片密封在改进的TO-46封装中或安装在陶瓷底座上。该探测器是测距应用、自由空间光通信和高分辨率光学相干层析成像的理想选择。

  • P13243-045MF 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

    Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,带通滤波器为4.45μm,视场为82°。它的上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装,非常适合火焰监测应用。

  • SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

  • 795S-0000-x002 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感,运动控制,医疗设备,打印,测量和光谱传感(例如原子钟)

    来自Vixar的795S-0000-x002,是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃,0.1-0.25mW@25℃,0.04-0.16mW@95℃,阈值电流为0.6-0.9mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4GHz,符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感(如原子钟)。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。

  • APD 0200 -17-T1 InGaAs光电二极管 发光二极管
    德国
    分类:发光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.95 – 1.65 µm 孔径: Ø 200 µm 封装类型: TO-46 / 5P 反向电流: 1 mA 正向电流: 5 mA

    APD0200-17-T1是一个高可靠性的平面设备,采用热电冷却的TO-46封装,具有高响应性和低噪声特性。

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

    FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器,如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器,封装在密封的4针TO-46封装中,适用于高速信号放大。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

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