• D64140M-UL45-F300低功率激光二极管 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    中心波长: 0.637um 输出功率: 140mW

    LPDL 639nm 140mW UNIF.LINE45 TTLINPUT FOC.300mm

  • FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39 半导体激光器
    德国
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAsP/AlGaAs 波长: 760 nm 输出功率: 0.25 mW 工作电压: 2 V

    Frankfurt Laser Company的FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39是GaAsP/AlGaAs二极管VCSEL(垂直腔面发射激光器),工作波长为760nm.最小输出功率0.25mW,壁插效率12%,斜率效率0.3W/A,谱宽100MHz,发散角10°~25°。它的正向电压为1.8 V,阈值电流为0.5 mA.该激光器具有ESD保护,并具有内部TEC、热敏电阻和PD.该器件采用TO-39封装,尺寸为Ø9.14 mm,非常适合TDLAS应用。

  • Micro–SWIR 640CSX MMT 科学和工业相机
    美国
    数据接口: Camera Link 相机类型: Digital Cameras, Board Cameras 扫描模式: Continuous 传感器类型: InGaAs 探测器类型: Indium Gallium Arsenide (InGaAs)

    来自Sensors Unlimited的Micro-SWIR 640CSx MMT是一款分辨率为640 X 512的NIR/SWIR相机。它在连续扫描模式下提供30/60 FPS的帧速率。该相机支持激光多模跟踪(MMT)、异步激光脉冲检测(ALPD)以及在白天和夜间条件下同时解码多达3个脉冲激光源。对于白天激光定位,焦平面最大化信号收集,使用99.9%的曝光/帧时间占空比来捕获脉冲激光,即使在激光具有较慢的重复率和/或较窄的脉冲宽度时也能成功。这种独特的曝光方法与新颖的MMT激光脉冲检测电路相结合,可以更容易地识别战场激光瞄准点。Micro-SWIR 640CSx MMT在NIR/SWIR区域具有0.7-1.7µm的光谱响应,量子效率超过65%。它有一个有效面积为9.6 mm X 7.68 mm的高灵敏度成像器,其中包括一个单级TEC,用于在高工作温度设定点下实现热稳定。这使得非常稳定的非均匀性校正(NUC)设置即使在薄雾、灰尘和烟雾中也能产生高质量的图像。它使用12位Base Camera Link作为输出接口。Micro-SWIR 640CSx MMT需要4.5-6 V的直流电源,功耗为3 W.它采用坚固耐用的MIL C-mount封装,尺寸为31.8 X 31.8 X 34.3 mm,带有数字输出ST4板对板连接器,是实验室、工厂和军事应用的理想之选。

  • 用于电信应用的InGaAs PIN光电二极管模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1310,1550nm

    OSI激光二极管公司InGaAs PIN探测器在微型同轴模块中提供了小尺寸和高性能。LDI的探测器模块专为提供高响应度和低泄漏而设计,具有低背反射和低偏振相关损耗(PDL)。探测器模块具有高可靠性,符合Telcordia GR-468-CORE的要求。LPD 3080同轴器件可提供245um或900um护套光纤,并提供两种背向反射水平。

  • LPD 3080 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPD 3080是一款光学探测器,其暗电流为0.05至0.5 nA,电容为0.5至0.75 PF,带宽为2.5 GHz,响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W,有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD2004 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    来自Broadcom的LPD2004是波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD2004的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD2006 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD2006是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD2006的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD2014-4X 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD2014-4X是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm.有关LPD2014-4X的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD2014 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD2014是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD2014的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD2110 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD2110是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD2110的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD3012-4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD3012-4是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3012-4的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD3030-4-P750 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD3030-4-P750是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm.有关LPD3030-4-P750的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD3030-4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD3030-4是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3030-4的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD3030 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD3030是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3030的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD3035-4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD3035-4是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3035-4的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD3035 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD3035是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3035的更多详细信息,请联系我们。

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