- 产品
- 厂家
-
相机类型: Industrial, Scientific, Security 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.8 - 2.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 256
使用碲镉汞(MCT)半导体材料的电子引发雪崩光电二极管(E-APD)的发现使短波红外成像取得了重大突破。C-Red One使用独特的320 X 256像素HgCdTe E-APD阵列,像素间距为24μm。该传感器允许亚电子读出噪声,利用E-APD无噪声倍增增益和非破坏性读出能力。C-RED One还能够进行多个感兴趣区域(ROI)读出,允许更快的图像速率(10-kHz),同时保持前所未有的亚电子读出噪声。传感器使用具有高可靠性的集成脉冲管冷却至低温(80 K)。C-RED ONE在SWIR科学相机领域的灵敏度和速度方面开创了一个新时代。
-
相机类型: Industrial, Security 阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe) 光谱带: 7.5 - 10.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 240
IDS3102红外焦平面成像系统由液氮灌注低温恒温器、后置电子组件和外部电源组成。该系统旨在为对评估传感器或开发IRFPA应用感兴趣的工程师和科学家提供开发工具。该系统还可用作专用安装的独立IRFPA摄像机系统,使用许多计算机上可用的P1394a(FireWire™)接口。对于光谱仪应用,该系统可以利用Talktronics DTSpec成像光谱仪系统软件和外部用户定义的光学器件来实现完整的光谱仪系统。电子模块包含数字定时控制器,该控制器产生用于IRFPA的所有时钟信号和偏置电压,将像素数字化,并通过P1394a(FireWire™)数字相机接口将数字化的像素信息发送到计算机(PC或其他)。红外焦平面阵列是一个长波红外碲镉汞(MCT)焦平面阵列,具有320×240格式的30×30微米像素,可扩展至384×288。该传感器是一种凝视型器件,具有可选增益、帧大小和积分时间。器件的灵敏度范围约为2 um至10 um。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W
PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器,基于精密的HgCdTe异质结构,以获得最佳性能和稳定性,并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下(约0.9µm)的最佳波长λopt下进行了优化。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W
PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
-
活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W
PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止了不必要的干涉效应。
-
活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107
PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
-
探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4
PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器,经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能,反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。
-
探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0
PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备经过优化,在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围,并在高频下提高性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
-
探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008
PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率(约0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。