• C-Red One超低噪音超高速旋转摄像机 科学和工业相机
    相机类型: Industrial, Scientific, Security 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.8 - 2.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 256

    使用碲镉汞(MCT)半导体材料的电子引发雪崩光电二极管(E-APD)的发现使短波红外成像取得了重大突破。C-Red One使用独特的320 X 256像素HgCdTe E-APD阵列,像素间距为24μm。该传感器允许亚电子读出噪声,利用E-APD无噪声倍增增益和非破坏性读出能力。C-RED One还能够进行多个感兴趣区域(ROI)读出,允许更快的图像速率(10-kHz),同时保持前所未有的亚电子读出噪声。传感器使用具有高可靠性的集成脉冲管冷却至低温(80 K)。C-RED ONE在SWIR科学相机领域的灵敏度和速度方面开创了一个新时代。

  • IDS3102-MCT LWIR FPA成像系统 科学和工业相机
    美国
    厂商:Talktronics Inc
    相机类型: Industrial, Security 阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe) 光谱带: 7.5 - 10.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 240

    IDS3102红外焦平面成像系统由液氮灌注低温恒温器、后置电子组件和外部电源组成。该系统旨在为对评估传感器或开发IRFPA应用感兴趣的工程师和科学家提供开发工具。该系统还可用作专用安装的独立IRFPA摄像机系统,使用许多计算机上可用的P1394a(FireWire™)接口。对于光谱仪应用,该系统可以利用Talktronics DTSpec成像光谱仪系统软件和外部用户定义的光学器件来实现完整的光谱仪系统。电子模块包含数字定时控制器,该控制器产生用于IRFPA的所有时钟信号和偏置电压,将像素数字化,并通过P1394a(FireWire™)数字相机接口将数字化的像素信息发送到计算机(PC或其他)。红外焦平面阵列是一个长波红外碲镉汞(MCT)焦平面阵列,具有320×240格式的30×30微米像素,可扩展至384×288。该传感器是一种凝视型器件,具有可选增益、帧大小和积分时间。器件的灵敏度范围约为2 um至10 um。

  • LN2冷却的碲化镉检测器MCT-5-N-0.05 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: HgCdTe 工作波长: 4500nm

    Infrared Associates,Inc.提供高质量的液氮冷却HgCdTe探测器。每个探测器都针对指定的波段进行了优化;2µm至5µm、2µm至13µm或我们的FTIR系列,波段高达2µm至24µm,如下表所示。FTIR系列HgCdTe探测器旨在实现傅里叶变换红外光谱仪的较佳性能。探测器的灵敏度较高,截止范围为750至400 cm-1。有多种杜瓦瓶设计可供选择,所有杜瓦瓶都配有楔形窗口,以消除干扰效应。除下表中列出的标准尺寸外,还可根据要求提供定制配置。定制包装,包括金属和玻璃,旨在与客户指定的冷却系统接口,也可提供。

  • LN2冷却的碲化镉检测器MCT-5-N-0.10 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: HgCdTe 工作波长: 4500nm

    Infrared Associates,Inc.提供高质量的液氮冷却HgCdTe探测器。每个探测器都针对指定的波段进行了优化;2µm至5µm、2µm至13µm或我们的FTIR系列,波段高达2µm至24µm,如下表所示。FTIR系列HgCdTe探测器旨在实现傅里叶变换红外光谱仪的较佳性能。探测器的灵敏度较高,截止范围为750至400 cm-1。有多种杜瓦瓶设计可供选择,所有杜瓦瓶都配有楔形窗口,以消除干扰效应。除下表中列出的标准尺寸外,还可根据要求提供定制配置。定制包装,包括金属和玻璃,旨在与客户指定的冷却系统接口,也可提供。

  • 热电冷却的HgCdTe MCT-3.5-TE2-0.25 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: HgCdTe 工作波长: -3000nm

    Infrared Associates,Inc.提供高质量的热电冷却光导HgCdTe(MCT)探测器。他们提供高性能,易于操作。标准探测器在2µm至5µm波长范围内进行了优化。扩展范围探测器在超过5µm的波长范围内工作。光学增强型检测器可与反射和折射光学元件一起使用,以提高这些装置的收集效率。这些检测器的明显增强的响应度和D*依赖于光学部件将通常可能不入射的能量重新聚焦在检测器元件上的能力。这些装置较适合于入射能量被准直或发散的应用。因此,光学增强型检测器理想地适用于采用光纤的应用。

  • ZEPHIR 2.5 - 850-2500纳米的SWIR相机 科学和工业相机
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe) 光谱带: 0.85 - 2.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 256

    ZEPHIR™基于灵敏的HgCdTe FPA,并集成了四级TE冷却器,可提供惊人的每秒340帧速率,同时达到无与伦比的低噪声水平。这款经济实惠的短波红外相机的灵敏度范围为850nm至2.5µm,非常适合质量控制和分拣方面的工业应用。

  • ZEPHIR 2.9 - 850-2900纳米的SWIR相机 科学和工业相机
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe) 光谱带: 0.85 - 2.9 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 256

    继续推动扩展科学和工业成像、光子等的边界。展示其高性能且经济实惠的深冷SWIR相机系列。基于灵敏的HgCdTe(MCT)FPA,并集成了四级TE冷却器,Zephir 2.9提供了惊人的每秒340帧的速率,同时达到非常低的噪声水平。这些相机较初设计用于要求低通量的应用,如第二生物窗口中的小动物成像,这些相机还为质量控制和分类的工业应用带来了新的能力。

  • ZephIR 2.5 科学和工业相机
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    数据接口: Camera Link, USB 3.0 可操作性: >98.5%

    ZEPHIR™2.5是光子等。的经济实惠的科学级短波红外HgCdTe(MCT)相机,具有0.85至2.5µm的高灵敏度。四级TE冷却器,在-80°C下深度冷却,以惊人的每秒340帧的速度提供无与伦比的低噪音水平。

  • ZephIR 2.9 科学和工业相机
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    数据接口: Camera Link, USB 3.0 可操作性: >98.5%

    ZEPHIR™2.9是光子等。的经济实惠的科学级短波红外HgCdTe(MCT)相机,具有0.85至2.9µm的高灵敏度。四级TE冷却器,在-80°C下深度冷却,以惊人的每秒340帧的速率提供无与伦比的低噪音水平。

  • PCI-2TE series红外光电导探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W

    PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器,基于精密的HgCdTe异质结构,以获得最佳性能和稳定性,并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下(约0.9µm)的最佳波长λopt下进行了优化。

  • PCI-4TE series红外探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0-14.0 探测率: ≥1.25×1010-≥5.0×108

    PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构,采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化,起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声,低频性能有所降低,1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。

  • PCI-3TE series 红外光电导探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W

    PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。

  • PC-4TE series红外光电导探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W

    PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止了不必要的干涉效应。

  • PCI series未冷却红外光电导探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107

    PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。

  • LabM-I-10.6 可编程红外探测模块 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    有源元件温度: 195K 截止波长(10%): 2.0µm 峰值波长: 8.0-10.0µm 最佳波长: 10.6µm 截止波长(10%): 12.0µm

    LabM-I-10.6是基于HgCdTe TE冷却光学浸入光伏多结探测器的可编程红外探测模块。

  • 32EM-5 series 32通道检测模块 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    检测模块类型: 32EM-5-01, 32EM-5-02 截止波长λcut-on(10%): ≤2.0µm, 3.7±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.25±0.2µm, 4.75±0.2µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.6±0.2µm, 5.8±0.2µm

    32EM-5 是一系列 32 通道检测模块。热电冷却的 MWIR 32 元件 HgCdTe 光伏探测器集成了 DC 耦合 32 通道跨阻放大器。

  • PVI-2TE series 两级热电冷却红外光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4

    PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器,经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能,反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。

  • PV series 非制冷红外光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0

    PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备经过优化,在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围,并在高频下提高性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

  • PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 红外探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    光谱范围: 2.0 to 13.8 µm 光学面积: 1 mm × 1 mm 冷却方式: 3TE 温度传感器: thermistor 探测器封装: TO8

    PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一款HgCdTe三级TE冷却光学沉浸光导红外探测器,适用于FTIR光谱。具有2.0至13.8 µm的光谱范围和长期稳定性。

  • PCI series HgCdTe探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008

    PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率(约0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。