• 斑驳的USB2.0 光束分析仪配件
    以色列
    厂商:Duma Optronics

    具有USB2.0接口的便携式快速精确光束定位系统。该系统基于24位A/D电子盒,通过USB2.0端口供电。它在一个系统中提供一个或两个PSD的同时操作。PSD是横向效应型或四象限型。有多种传感头类型和尺寸。当使用500 Hz数字滤波器时,更新速率高达150 Hz。光谱范围为350-1100nm。支持的操作系统包括WindowsXP、Vista、7.0(32位和64位)。

  • 4象限激光位置感应探测器 QUAD-4TRACK 能量功率计
    加拿大
    分类:能量功率计
    厂商:Gentec-EO
    探测器兼容性: Photodiode, Pyroelectric, Thermopile 最小可测量能量: Other 最大可测量能量: <100 mJ 最小可测量功率: <1 mW 最大可测量功率: <1 W

    Quad-4Track是一种先进的光束位置测量系统。它与脉冲跟踪应用软件一起使用,该软件创建了一个用于测量和显示激光能量和光束位置的全功能数据采集系统。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管,采用双扩散“穿透”结构,优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区,因此在视线中心没有响应损失。

  • PVMQ 光伏多结象限探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/W

    PVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器,以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成,排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • QD7-0-SD/QD50-0-SD 象限光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: QD7-0: 0.2 nA (min), 0.47 nA (typ) | QD50-0: 0.54 nA (typ) 反向电压: QD7-0: 30 V (typ) | QD50-0: 10 V (typ) 有效区域: QD7-0: φ 20 mm | QD50-0: φ 125 mm 响应度: QD7-0: 0.4 A/W (typ) at 900 nm | QD50-0: 15.0 A/W (typ) at 900 nm 电容: QD7-0: 15.0 pF (typ) at 0 V | QD50-0: 30.0 pF (typ) at 0 V

    QD7-0-SD和QD50-0-SD是带有关联电路的象限光电二极管阵列,用以提供两个差分信号和一个求和信号。两个差分信号是由光电二极管象限元件对立面感测到的光强度差异的电压模拟。此外,所有4个象限元件的放大求和也作为求和信号提供。这使得QD7-0-SD或QD50-0-SD非常适合光束对准和位置应用。可以实现非常精确的光束对齐,并且电路也可以用于目标获取和对齐。

  • FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/W

    FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管,分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰,非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

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