• CLD240硅光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 850nm

    CLD240系列是旧款CLD140系列的全新直接替代品,具有更大的(0.060 X 0.060)有效面积硅PIN光电二极管芯片。此外,它还具有更快的开关速度和更低的结电容。提供三种不同的透镜选项,可满足大多数应用要求。联系Clairex了解其他包装选项。

  • FP1-850K光电探测器 光电探测器
    俄罗斯
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 810nm

    FP1-850K型光电二极管,光谱灵敏度范围为810-870 nm,通过纤芯直径为50μm的多模光纤将辐射引入人体。它是在硅PIN光电二极管的基础上制成的,用于光纤通信系统、陀螺仪、测量设备和其他领域,作为接收器和将光辐射转换为电信号的转换器。帖子导航

  • TFMD5000硅PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 1050nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用。

  • VEMD8080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nA

    Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管,峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件(SMD),包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片,可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V,反向暗电流为0.2nA,光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装,尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm,非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/W

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列,具有大感光面积,优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容,适用于1.25Gbps以下的应用,如千兆以太网和光纤通道。

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