CFD470包含一个安装在TO-18针座上的PIN硅光电二极管。该设备设计为在标准光纤插座的0.228（5.79mm）孔中自对准。外壳外侧的三个挤压肋条提供压合安装和精确对准。CFD470设计用于连接50/125至200/300微米的多模光纤。

紧凑型光栅光谱仪CGS UV-NIR自成一类。极其紧凑、坚固耐用的设计和各种探测器（CCD或PDA）选项使用户能够以较高质量和较佳光谱效率进行测量。CGS采用像差校正成像光栅、SMA连接器作为光学输入和CCD或硅光电二极管阵列（PDA）探测器。非制冷，背面薄CCD探测器捕捉清晰，明亮的图像，并确保高灵敏度。即使在低光水平下，PDA也具有极低的噪声和高S/N。光谱仪的核心部件是一个用于光色散和成像的闪耀平场光栅。根据瑞利标准，整体配置导致光谱像素间距为0.4nm/像素（CCD）和0.7nm/像素（PDA），光谱分辨率约为2nm（取决于狭缝尺寸）。光纤接口是一种SMA光纤连接器，具有固定的入口狭缝（可提供各种宽度），以实现光纤的精确对准。所有光学元件都连接在铝制外壳上。光谱仪模块紧凑的机身和热稳定设计使其成为工业应用的理想选择。即使在恶劣的环境中，低热膨胀和较小杂散光也能保证可靠的测量结果。CGS光谱仪系列完善了MMS、MCS和PGS光谱仪模块的产品线。卡尔蔡司光谱仪模块的灵活设计适用于许多应用。蔡司生产的光谱仪可根据测量原理、使用领域或待分析材料进行分类。然而，CGS较重要的优点是紧凑的机身、合理的价格和对外部影响的不敏感性，这允许直接的工艺集成。

CLD156和CLD156R是0.12 2 X 0.222有效面积硅光电二极管，具有高线性度和低暗电流。TO-5接头提供了在宽温度范围内可靠运行的热环境。宽接受角允许用于红外空中通信、环境光检测、安全和监控、安全系统等。如需更多信息，请致电Clairex。

CLD160是一款0.12 2 X 0.12 2有效面积的硅光电二极管，安装在平面窗口TO-5封装中。宽接受角允许用于红外空中通信、环境光检测、安全和监控、安全系统等。如需更多信息，请致电Clairex。

CLD171和CLD171R是0.12 2 X 0.12 2有效面积硅光电二极管，具有高线性度和低暗电流。它们是环氧树脂封装的，用于低成本应用。宽接受角允许用于红外空中通信、环境光检测、安全和监控、安全系统等。

CLD240系列是旧款CLD140系列的全新直接替代品，具有更大的（0.060 X 0.060）有效面积硅PIN光电二极管芯片。此外，它还具有更快的开关速度和更低的结电容。提供三种不同的透镜选项，可满足大多数应用要求。联系Clairex了解其他包装选项。

CLD340是一款高温AlGaAs光电二极管，设计灵敏度为830至910nm。在背景照明可能导致问题的情况下使用时，这种专业探测器不需要信号调制或过滤环境光。0.040 X 0.040芯片安装在平面窗口TO-46封装中。建议使用CLE335进行光耦合。

光敏器件是一种坚固耐用的硅光电二极管，具有长期稳定性，与新的专利放大系统一起带来了非常高的灵敏度。探测器经过仔细过滤，以产生与人眼相同的光谱响应特性，如CIE标准。该遥感器配有2米长的软电缆。延长电缆也可用于在距探测器任何所需距离处进行测量。该仪器具有内置温度补偿功能。“保持”功能可保留显示值。为电池消除器提供直流输入，为外部仪器（如记录器、计算机和记录器）提供模拟输出。

FWPR-20系列光接收器将低噪声Si或InGaAs PIN光电二极管与专门设计的跨阻放大器相结合，具有高达1012 V/A的极高增益和极低噪声。这种独特的组合使光接收器具有飞瓦灵敏度，因为其噪声等效功率（NEP）极低，为0.7 FW/√Hz。直接检测低至CA的光功率。50fW是可能的，而不需要在接收器之后进行进一步的平均。

Thorlabs的FD11A是一款硅光电二极管，工作波长范围为320至1100 nm.它的上升时间为400 ns，有效面积为1.21 mm2。光电二极管采用TO-18封装。

来自Thorlabs的SM05PD3A是一款贴装式硅光电二极管，工作波长范围为320至1100 nm.它是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。光电二极管安装在方便的SM05（Ø0.535-40）外螺纹管中，响应度为0.60 A/W.

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

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Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。