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二极管类型: PbSe 工作波长: 3800nm室温红外探测器，在1–5.5微米波段具有快速响应和高灵敏度。
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二极管类型: PbS 工作波长: 320-1060nmTE冷却光电探测器系列由安装在热电冷却器上的高性能光电导体组成，全部封装在TO-37封装中。热敏电阻安装在TEC的冷板上，以提供精确、可靠的温度监控。操作前，请检查电气接线，否则设备可能会遭受灾难性损坏。电力消耗可超过1瓦（1V/1.00A）；因此，该封装必须适当地散热。为了降低功耗，建议使用带有安全夹钳的散热硅脂。通过优化的机械装配，温度水平可低于–10oC。
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类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers 可调谐: No 应用行业: Test & Measurement / Instrumentation, Components / Materials, Optical Communications, Semiconductors & Microelectronics, ImagingCalmar Laser的FPL-03RC系列是一款飞秒光纤激光器，工作波长为780 nm和1550 nm.它提供超过80 MW（780 nm）和200 MW（1550 nm）的平均功率。激光器的重复频率为80MHz，脉冲宽度小于100fs.它可以用作利用GaAs或InGaAs光电导天线产生太赫兹辐射的理想光源。该激光器采用了专有的门多西诺可饱和吸收体技术，该技术可在开启条件下提供可重复的锁模，具有出色的稳定性和可靠性。它采用台式单元，尺寸为34.9 X 43.7 X 10 mm，带SMA连接器，非常适合研发、测试和测量、电信元件表征、光学计量、材料表征、多光子成像和集成电路测试应用。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/WPCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器，基于精密的HgCdTe异质结构，以获得最佳性能和稳定性，并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下（约0.9µm）的最佳波长λopt下进行了优化。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0-14.0 探测率: ≥1.25×1010-≥5.0×108PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构，采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化，起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声，低频性能有所降低，1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/WPCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/WPC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层（wZnSeAR）窗口防止了不必要的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/WPC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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有源元件温度: 210K 截止波长: 2.0µm 峰值波长: 10.0µm 最佳波长: 12.0µm 截止波长(10%): 13.8µmSM-I-12是一款小尺寸红外检测模块，基于HgCdTe TE冷却光学浸没光电导探测器，适用于FTIR光谱学。
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探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µmPCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器，具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口（wZnSeAR）的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉，并符合RoHS指令。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化，需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/WPC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能，应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 VPlanar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。
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