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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7000X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7000X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7100ITX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7100ITX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7100X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7100X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.7 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为1.7至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1060X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 to 3.3 pFVishay Intertechnology的VEMD10940FX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.5至3.3 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD10940FX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为1.8至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1160x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.5 to 1.1 pFVishay Intertechnology的VEMD11940FX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为0.5至1.1 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD11940FX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2000X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2000X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2003X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2003X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2020X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2020X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2023SLX01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2023SLX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2023X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2023X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2500X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2500X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2503x01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2503x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2520x01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2520X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2523X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1110 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pFVEMD5080x0是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管，对350至1100 nm的可见光具有增强的灵敏度。它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有7.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。光电二极管尺寸为5 X 4 X 0.9 mm，非常适合高速光电探测器应用。
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