• 用于电信应用的InGaAs PIN光电二极管模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1310,1550nm

    OSI激光二极管公司InGaAs PIN探测器在微型同轴模块中提供了小尺寸和高性能。LDI的探测器模块专为提供高响应度和低泄漏而设计,具有低背反射和低偏振相关损耗(PDL)。探测器模块具有高可靠性,符合Telcordia GR-468-CORE的要求。LPD 3080同轴器件可提供245um或900um护套光纤,并提供两种背向反射水平。

  • QDFBLD-1300-10 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1308 nm 输出功率: 0 to 0.0102 W 工作电压: 1.31 V

    来自Qphotonics的QDFBLD-1300-10是波长为1308nm的激光二极管,输出功率为0至0.0102W,工作电压为1.31V,工作电流为0.06 4至0.07A,阈值电流为11mA.有关QDFBLD-1300-10的更多详细信息,请联系我们。

  • QFLD-1300-10S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1308 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 1.4 V

    Qphotonics公司的QFLD-1300-10S是波长为1308nm的激光二极管,输出功率为0~0.01W,工作电压为1.4V,工作电流为0.14 5~0.145A,阈值电流为44mA.有关QFLD-1300-10S的更多详细信息,请联系我们。

  • LDX-3315-735 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 735 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 3080 mA 阈值电流: 930 mA

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3315-735是波长为735nm、输出功率为2000mW(光纤)至2500mW、输出功率为2000mW(光纤)至2500mW、工作电压为1.9V、工作电流为3080mA的激光二极管。有关LDX-3315-735的更多详细信息,请联系我们。

  • DFB-2308-002 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 2308 nm 输出功率: 0.002 W 类型: Free Space Laser Diode

    来自Sacher Lasertechnik的DFB-2308-002是一款激光二极管,波长为2308nm,输出功率为0.002W,输出功率(CW)为0.002W.有关DFB-2308-002的更多详细信息,请联系我们。

  • LPD 3080 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPD 3080是一款光学探测器,其暗电流为0.05至0.5 nA,电容为0.5至0.75 PF,带宽为2.5 GHz,响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W,有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息,请联系我们。

  • IPSDD1308 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:InPhenix
    光纤模式: SMF/PMF/MMF 类型: Fiber-Coupled SLED

    Inphenix的IPSDD1308是一款超辐射发光二极管,波长为1280至1360 nm,输出功率为1至3 MW,带宽(FWHM)为90至100 nm,工作电流为180至250 mA,正向电流为350 mA(最大电流)。有关IPSDD1308的更多详细信息,请联系我们。

  • C30817EH series(系列)硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管,采用双扩散“穿透”结构制造,可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • C30884EH 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

    C30884EH是一种硅雪崩光电二极管,具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造,优化了在1000纳米以下波长的高响应度。