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波长: 1064nm 平均值功率: 1W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 211nm 平均值功率: 0.035W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 263nm 平均值功率: 0.110W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 266nm 平均值功率: 0.140W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 351nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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可调谐: 2500 –4000 nm (信号光) 4000 – 10000 nm (闲频光) 脉冲能量: 200 µJ – 3 mJ 泵浦功率: 80 W 脉冲宽度: < 50 fs
ORPHEUS-MIR是一个经过优化的光学参数放大器(OPA),用于有效地产生宽频带的近红外脉冲。该激光系统在2.5-10微米的调谐范围内提供超短脉冲,并以窄带宽的方式达到15微米。由于新颖的系统设计,ORPHEUS-MIR在输出端直接提供<100 fs的脉冲。信号和怠速输出可同时使用。该系统结构非常适用于高能量和高功率的PHAROS和CARBIDE飞秒泵浦激光器。 ORPHEUS-MIR是一个优秀的高重复率的光谱源,如二维红外(2D IR)和振动和频率生成(SFG)光谱。结合SHBC的窄带宽输出,它形成了一个紧凑的激光系统,用于SFG测量,在一次拍摄中覆盖大部分中红外光谱并提供高光谱分辨率。此外,它的高输出稳定性是快速和高质量SFG成像的关键。 此外,对于需要CEP稳定脉冲的中红外应用,ORPHEUS-MIR在整个2500-15000纳米范围内提供独特的CEP稳定选项。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。