• Quantas-Q2-1064:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 1W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-211:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 211nm 平均值功率: 0.035W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-263:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 263nm 平均值功率: 0.110W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-266:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 266nm 平均值功率: 0.140W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-351:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 351nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • 便携式脉冲深紫外线系统 XENON™ RC-250B 激光器模块和系统
    美国
    厂商:XENON
    重复率: 120 pps @60 Hz mains;100 pps @50 Hz mains 波长: 190-370 nm 脉冲能量: 2.4 joules/pulse 电源: 120 Vrms/220 Vrms (switch selectable),50/60 Hz

    XENON RC - 250B高强度脉冲紫外线消毒单元提供一系列小面积表面的处理。这种通用的且经久耐用的产品非常适合应用到多个领域。由于能量以间歇性脉冲的方式辐射,最小的热量传递给基板,温度敏感部件不会被损坏。RC - 250B利用独特的脉冲灯提供瞬间的ON / OFF,具有非常高的峰值功率,用于深度渗透和彻底的生物体破坏。

  • ORPHEUS-MIR 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    可调谐: 2500 –4000 nm (信号光) 4000 – 10000 nm (闲频光) 脉冲能量: 200 µJ – 3 mJ 泵浦功率: 80 W 脉冲宽度: < 50 fs

    ORPHEUS-MIR是一个经过优化的光学参数放大器(OPA),用于有效地产生宽频带的近红外脉冲。该激光系统在2.5-10微米的调谐范围内提供超短脉冲,并以窄带宽的方式达到15微米。由于新颖的系统设计,ORPHEUS-MIR在输出端直接提供<100 fs的脉冲。信号和怠速输出可同时使用。该系统结构非常适用于高能量和高功率的PHAROS和CARBIDE飞秒泵浦激光器。 ORPHEUS-MIR是一个优秀的高重复率的光谱源,如二维红外(2D IR)和振动和频率生成(SFG)光谱。结合SHBC的窄带宽输出,它形成了一个紧凑的激光系统,用于SFG测量,在一次拍摄中覆盖大部分中红外光谱并提供高光谱分辨率。此外,它的高输出稳定性是快速和高质量SFG成像的关键。 此外,对于需要CEP稳定脉冲的中红外应用,ORPHEUS-MIR在整个2500-15000纳米范围内提供独特的CEP稳定选项。

  • T-Three温度控制 半导体激光器配件

    300瓦的T-Three提供了一种经济高效的方式,通过更高的热稳定性来优化设备的性能。T-Three可对负载变化做出即时响应,即使在接近环境温度的情况下,也能以±0.05°C的可重复性实现0至50°C的热控制。该系统的平稳流动离心泵保持运行无振动,使其成为激光、光学、分析设备或任何其他需要精确温度控制的应用的理想解决方案。使用寿命超过200,000小时的热电模块,T-Three没有压缩机,运动部件很少,也没有氟利昂,因此非常可靠和环保。通用功率输入和我们的可变功率控制意味着您只在需要时才有效地获取功率

  • FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • Dual LED series 辐射测量仪器 激光扫描和测距
    美国
    活动区域: 0.81-8.4mm 光谱响应: A/W 暗电流: nA 反向电压: V 工作温度范围: °C

    Dual LED series系列产品包括一个660nm(红色)LED和一个配套的IR LED(如880/895, 905, 或940nm)。这些产品广泛应用于医疗分析和监测设备的辐射测量中。它们也可以用于需要低成本双波长光源的应用。提供两种引脚配置:1)三引脚共阳或共阴,2)两引脚并联背靠背连接。产品有两种封装方式:透明引线框架侧视型和无引线陶瓷基底。