Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头，带触摸屏控制。

用于IPL光源的Gentec-EPortable激光探头，每脉冲2-350 J。

Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头，带触摸屏控制。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EOSuper HP高功率解决方案设计用于测量宽光谱范围内的高功率激光输出功率。

Gentec-EOSuper HP高功率解决方案设计用于测量宽光谱范围内的高功率激光输出功率。

Gentec-EoSuper HP高功率解决方案。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO UD10-2-H5-L热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM用户提供的各种可能性。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

Gentec-EO UD12-70-H5热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM提供的各种可能性用户。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

Gentec-EO UD19-200-H9热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM提供的各种可能性用户。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

Gentec-EO UD19-200-H9热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM提供的各种可能性用户。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

Gentec-EO UD19-50-W5热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM提供的各种可能性用户。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

继较近推出积分球激光功率探测器系列之后，Gentec-EO现在又增加了另一种型号的快速激光功率探测器，即IS50A-1KW-RSI。该探测器较显著的特点可能是其典型的上升时间仅为0.2秒，这意味着与市场上的任何其他高功率探测器相比，您可以以极快的速度获得高精度测量。凭借其高达1000 W的连续功率测量能力和50 mm的孔径，IS50A-1KW-RSI可容纳大型和强大的激光束。它还具有令人难以置信的低噪声水平，仅为0.01 MW。这款功率探测器是准直光束的理想选择，但也可以完美地工作到20º发散（全角）。只需将其插入带有Integra USB或RS-232连接器的计算机，打开我们的免费专有软件PC-Gentec-EO，您可以进行先进次测量。

用于激光束功率测量的Gentec-EO无线监视器Blu。

以托马斯·杨在1803年对光的波动理论的经典证明命名。虽然Young的原始实验使用太阳光并计算出平均波长为550nm，但如今使用单色光和相干光，可以通过以下公式计算波长：其中，λ是光的波长D是狭缝的间距n是观察到的较大值的阶数（对于先进阶n=1）X是光带和中心较大值之间的距离（也称为条纹距离）L是狭缝到屏幕中心点的距离这些元件可用于演示杨氏干涉条纹、迈克尔逊恒星干涉仪（用于测量双星之间的间隔）或其他需要测量点源之间间隔的应用。

产品型号 :Centrale 该光纤半导体激光管驱动器集成了两个半导体激光管驱动器、6 个光电二极管电子器件、一个脉冲选择器同步工具和许多其他专用功能，适用于几乎任何类型的光纤激光器架构。 该光纤半导体激光管驱动器使您可以在仅需几周的时间开发出完整的光纤激光原型。 种子源半导体激光管有一个“脉冲/连续”通道，泵浦半导体激光管有一个“连续”通道。它与任何类型的光纤激光器架构兼容：锁模、Q-Switch、MOPA 以及任何类型的种子源模块，如 EOM 调制激光管、增益开关激光管、微芯片等。

产品型号 :Shaper 该高速半导体激光管驱动器可生成任意脉冲，具有低至 500 皮秒和 48 dB的动态范围。 它有许多功能，例如增益开关峰值抑制和 3 个同步脉冲延迟发生器。 该高速驱动器内置TEC控制器，可通过板载 AWG（任意波形发生器）在内部生成高精度纳秒脉冲。 它与大多数半导体激光管外形尺寸（Butterfly、TO 等）兼容。 直接对半导体激光管调制是 EOM 或 AOM 外部调制的替代方案。

产品型号 :SOM 这种光纤调制器是一种高速（纳秒）、高动态范围、高消光比的光源模块。 它是一种波长范围在750 至 1700 nm 的低噪声、无损的器件。 在上面的数据表或表格图像中选择您的波长。 它是一个非常紧凑的基于 SOA 的单元，针对单发脉冲到连续模式输出性能进行了优化，其脉冲宽度低至 1.5 纳秒。 该光纤调制器可提供由板载脉冲发生器在内部生成的精确脉冲，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 SOM（半导体光调制器）可以与 AOM、EOM 或直接半导体激光管调制器进行比较。 SOM 可保持输入连续信号的窄光线宽，同时产生非常短的脉冲。 它是先进满足可靠、稳定和高效光纤耦合强度调制所有限制的光源模块。

产品型号 :TOMBAK 该脉冲延迟发生器提供高频脉冲、延迟和突发模式。 它是电子、激光或相机设置的理想测试和时序控制仪器。 该脉冲延迟发生器提供多种操作模式，包括独立发生器、数字延迟发生器、分频器、突发发生器、脉冲选择器、电压电平转换器和任意波形发生器 (AWG) 。 适用于带有 EOM、AOM 或 SOA 的光纤调制设置。 应用包括组件测试、激光时序控制、激光脉冲拾取、光电二极管信号的相机同步等。 适用于各类产品板载OEM集成。