• LabM-I-4 实验室红外检测模块 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    截止波长(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长: 3.5±0.5µm 最佳波长: 4.0µm 截止波长(10%): 4.3±0.3µm 探测率D*: ≥2.0×10^10cm·Hz1/2/W

    LabM-I-4是一款实验室红外检测模块,采用基于HgCdTe异质结构的光学浸入式光伏探测器,集成了跨导可编程前置放大器。3°角度的蓝宝石窗口防止了不必要的干扰效应。为了正常运行,需要使用可编程的“智能” VIGO 热电制冷器控制器 PTCC-01(需另外购买)和免费的Smart Manager软件。LabM-I-4模块附带PTCC-01和Smart Manager软件,是各种中波红外应用的原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计者提供了灵活的选择。

  • PVMQ 光伏多结象限探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/W

    PVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器,以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成,排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。

  • PC-3TE series 红外光电导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007

    PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化,需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。

  • PC series 光导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/W

    PC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能,应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

  • PVI-5-1×1-TO39-NW-36 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm

    PVI-5-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。该设备针对5 µm的最大性能进行了优化。探测器元件单片集成了超半球形GaAs微透镜,以提高设备性能。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围,还可以提高高频性能,但在偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

  • SWIR FPA InGaAs 探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: Sapphire

    VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA(焦平面阵列)采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术,从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

  • MWIR FPA T2SL 红外探测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics

    冷却红外中波红外探测模块,采用VIGO Photonics S.A. 独特技术,提供640 x 512格式的T2SL基冷却中波红外焦平面阵列,具有可靠的探测性能,适用于苛刻应用。

  • AM03120-01 非制冷红外检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial InAsSb heterostructure 活性面积A: 1×1 mm×mm 封装: TO8 接受角Φ: ~48° 窗口: wZnSeAR

    AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块,封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗(wZnSeAR),防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供(仅带探测器元件的PCB板),安装在TO8子安装架上,或安装并密封在带窗的TO8封装中。

  • 32EM-5系列 32通道检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    窗口: pAlOAR 接受角Φ: ~70°

    32EM-5是一系列32通道检测模块。热电冷却的中波红外32元件HgCdTe光伏探测器与直流耦合32通道跨阻前置放大器集成。具有高灵敏度和高速响应,适用于光谱学、非接触温度测量等应用。

  • FT-MIR ROCKET 光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    产品代码: FTMIR-L1-060-4TE, FTMIR-L1-085-4TE, FTMIR-L1-120-4TE, FTMIR-L1-160-LN2, FTMIR-L1-160-DLA 分束器材料: CaF2, ZnSe 光谱范围[cm-1]: 5000-1660, 6600-1200, 5000-830, 5000-650 光谱范围[μm]: 2-6, 1.5-8.5, 2-12, 2-16 探测器类型: MCT (4-TE cooled), DLATGS (LN2 cooled)

    ARCOPTIX FT-MIR ROCKET是一款高性能、紧凑且可靠的光谱仪,非常适合中红外的各种应用。该光谱仪通过自制的可更换干燥剂胶囊有效降低了干涉仪体积中的CO2或H2O浓度。凭借其永久对准的干涉仪和固态参考激光器,FT-MIR ROCKET在强度和波长尺度上提供了出色的稳定性。

  • FT-NIR ROCKET 近红外光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围[cm-1]: 11000-4000 光谱范围[μm]: 0.9-2.5 探测器类型: Extended type InGaAs 2-stage TE-cooled 探测器峰值D*[cm Hz1/2W-1]: >2x10^11 信噪比(SNR): >100000:1

    ARCOPTIX FT-NIR Rocket 是一款高性能、紧凑且可靠的近红外光谱仪,适用于近红外光谱的多种应用。其光纤端口使其与反射探头或比色皿等光纤附件直接兼容,用于透射分析液体等。

  • VIS-NIR-DR 宽带光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350-2600nm 决议: < 5nm 测量几何结构: Diffuse illumination, 8° viewing angle 积分球直径: 50mm 积分球入口直径: 10mm

    ARCoptix VIS-NIR-DR 光谱仪是一款广谱仪器,专为可见光和近红外漫反射测量设计。它集成了多通道光栅光谱仪,用于可见光区域的测量,以及覆盖近红外区域的FT-IR。专用软件将两个仪器的信息合并,并输出覆盖 350-2600nm 波长范围的单一光谱。适用于漆料、纺织品、墨水、化妆品、塑料等的漫反射测量。

  •  VIS-NIR 宽波段光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350nm-2500nm 决议: <1.5nm 光纤输入: 2X SMA-905 单次采集扫描时间: 2 软件接口: Windows 7/10/11

    ARCoptix VIS-NIR 是一款高分辨率、宽波段的光谱仪,覆盖可见光和近红外范围,集成了FT-NIR和光栅光谱仪,用于高分辨率的测量,透射测量、漫反射测量、光源表征和材料识别。

  • 液晶可变相位延迟器(VPR) 偏振光学元件
    瑞士
    厂商:ARCoptix
    相位移范围: 50-1200nm (max. 3000nm) 波长范围: 350-1800nm 有效区域: 科学级: 10mm或20mm (直径); 工业级: 23mm (方形) 传输: 85% (VIS) 延迟材料: 向列液晶,典型值Δn=0.14

    ARCoptix S.A的液晶可变相位延迟器(VPR)是一种透射元件,能在激光工作时提供极小的损耗。其光学延迟(或相位移)可通过简单的实验室替代电源或函数发生器进行电调。该设备能在350nm到1800nm的可见光和近红外区域内工作,且损耗不超过20%。适用于偏振管理、干涉测量和计量等应用。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  •  Multi-Element Array Series 多通道阵列光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 3.9nA 电容: 12pF 响应度: 0.99A/W 噪声等效功率: 6.2e-15W/√Hz 工作温度范围: 30-85°C

    多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成,彼此相邻排列,形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束,具有低电气串扰和超高均匀性,使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 V

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米,使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用,包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。