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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为9ns,带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V,电容为36-400 PF,暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm,有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF
Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角(AOA)信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列,并结合3位数字格雷码掩模,以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns,结面积为0.75 mm2,视场为±45°。它的电容为13.5 PF,击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装,非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。