• UPD-70-UVIR-D 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。

  • UPD-70-UVIR-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。

  • FP1015b 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/W

    Freedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器,波长范围为1550 nm,带宽为30至35 GHz,响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1015c 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/W

    Freedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器,波长范围为1550 nm,带宽为60至65 GHz,响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1017a 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/W

    Freedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器,波长范围为850 nm,暗电流为50 pA,带宽为2至3 GHz,响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W,有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息,请联系我们。

  • C30619GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30641GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30642GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为9ns,带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V,电容为36-400 PF,暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm,有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30665GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • EXACTD-332 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF

    Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角(AOA)信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列,并结合3位数字格雷码掩模,以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns,结面积为0.75 mm2,视场为±45°。它的电容为13.5 PF,击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装,非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

  • APD28A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Macom
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1250 to 1650 nm RoHS: Yes

    Macom的APD28A是一款光电二极管,波长范围为1250至1650 nm,带宽为20 GHz,电容为40 PF,暗电流为1000 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息,请联系我们。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为1000 MHz,电容为1.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD05-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为900 MHz,电容为3 PF,暗电流为0.1至1 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD10-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为600 MHz,电容为6 PF,暗电流为0.2至2 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-TO5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-TO5是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-TO5的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-GaAs-12M 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-GaAs-12M是波长范围为850 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.63 A/W的光电二极管。

  • FCI-GaAs-4M 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的FCI-GaAs-4M是一款光电二极管,波长范围850 nm,带宽2 GHz,电容0.65 PF,暗电流0.03 nA,响应度/光敏度0.63 A/W.

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Laser Diode,Inc.的FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是一款波长范围为1100至1650 nm、带宽为900至1750 MHz的光电二极管。有关FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-H125G-InGaAs-75 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-H125G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为900MHz的光电二极管。FCI-H125G-InGaAs-75的更多详情见下文。