来自AlphaLas的Po-TWP-L4-25-IR是波长范围为500至6500nm、波片厚度为5mm、波片直径（英寸）为0.9英寸、波片直径（mm）为24mm（通光孔径）的波片。Po-TWP-L4-25-IR的更多详情见下文。

来自OSI Laser Diode，Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

Macom的APD28A是一款光电二极管，波长范围为1250至1650 nm，带宽为20 GHz，电容为40 PF，暗电流为1000 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是一款波长范围为1100至1650 nm、带宽为900至1750 MHz的光电二极管。有关FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为900MHz的光电二极管。FCI-H125G-InGaAs-75的更多详情见下文。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H250G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为1750MHz的光电二极管。有关FCI-H250G-InGaAs-75的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H622M-InGaAs-75是波长范围为1100至1650 nm、带宽为520 MHz的光电二极管。FCI-H622M-InGaAs-75的更多详情见下文。

Roithner Lasertechnik的PF511是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为12 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.80至0.85 A/W，有效面积直径为300µm.有关PF511的更多详细信息，请联系我们。

Roithner Lasertechnik的PF512是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为12 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.00 1至0.003 A/W，有效面积直径为300µm.有关PF512的更多详细信息，请联系我们。

Roithner Lasertechnik的PF513是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为12 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.00 1至0.003 A/W，有效面积直径为300µm.有关PF513的更多详细信息，请联系我们。

Roithner Lasertechnik的PF521是一款光电二极管，波长范围为500至1650 nm，电容为12 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.20至0.85 A/W，有效面积直径为300µm.有关PF521的更多详细信息，请联系我们。

来自Laserscom的PDI-35-10G-W是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.25至0.3 PF，暗电流为1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.9至1 A/W.PDI-35-10G-W的更多详情见下文。

Laserscom的PDI-3P30-10G-W是一款PIN光电二极管模块，工作波长范围为1000至1650 nm.它的光功率为30 MW，响应度为0.70 A/W.光电二极管的工作电压为5 V，暗电流为1 nA.它配有单模光纤，可提供-45 dB的低背反射，是高速光通信系统的理想选择。

来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.65至0.8 PF（芯片），0.95至1.1 PF（总电容），暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0。8至0。85 A/W.有关PDI-8P50-2G-K的更多详细信息，请联系我们。

来自Qphotonics的QSDM-1650-2是中心波长为1627nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达2 MW的输出功率，并具有35 nm（FWHM）的低波纹光谱宽度。该SLD具有高达30%的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它的热敏电阻B常数为3900 K，监控电流高达2 mA.该SLD具有高达2 V的正向电压和小于330 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

来自Qphotonics的QSDM-1650-9是一种超辐射发光二极管，其波长为1620至1660 nm，输出功率为7至11 MW，带宽（FWHM）为28至35 nm（光谱宽度），工作电流为300 mA，正向电压为1.3至1.8 V.

Inphenix的IPSDD1508是一款超辐射发光二极管，波长为1520至1575 nm，输出功率为18至20 MW，带宽（FWHM）为55至65 nm，工作电流为450至600 mA，正向电流为650 mA（最大电流）。有关IPSDD1508的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD1603是一种超辐射发光二极管，波长为1630至1650 nm，输出功率为3至5 MW，带宽（FWHM）为35至40 nm，工作电流为400至500 mA，正向电流为350 mA（最大电流）。有关IPSDD1603的更多详细信息，请联系我们。