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传感器类型: Microbolometer 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 2000 - 16000 nm # 像素(宽度): 640 # 像素(高度): 480
WinCAMD-IR-BB激光光束轮廓仪是一种用于中波红外和远红外范围激光的成像解决方案。WinCAMD-IR-BB光束轮廓仪具有17µm像素、2-16µm波长范围和集成快门,可提供无与伦比的光束轮廓能力。WinCAMD-IR-BB的信噪比超过1000:1,可进行符合ISO11146标准的光束测量。基于微测辐射热计的相机具有非常高的灵敏度,集成的快门允许全自动非均匀性校正。WinCAMD-IR-BB激光束剖面仪由Dataray的全功能、高度可定制、以用户为中心的软件提供支持,该软件无许可费、无限制安装和免费软件更新。该软件支持使用我们的M2DU阶段进行M^2测量。对于更高功率的激光器,Dataray提供了一系列采样、吸收和反射衰减器,用于超过相机较大功率的光束。功率限制。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W
PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器,基于精密的HgCdTe异质结构,以获得最佳性能和稳定性,并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下(约0.9µm)的最佳波长λopt下进行了优化。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W
PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107
PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/W
LabM-I-5 是一款实验室红外探测模块,采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器,并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作,需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01(单独出售)和智能管理软件(免费软件)。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器,是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4
PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器,经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能,反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0
PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备经过优化,在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围,并在高频下提高性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。